H01L29/72 - приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы

Многоколлекторная транзисторная структура

ОПИСАН И Е ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ 1i и 786748 Союз Советских Социалистических Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 16.07,79 (21) 2796163/18-25 (51) М. Кл,з Н 011 29/72 с присоединением заявки ¹ (53) УДК 621.382 (088.8) (43) Опубликовано 07.07.82. Бюллетень чо 25 (45) Дата опубликования описания 07.07.82 по делам изобретений и открытий (...

786748

Способ управления -канальным накопительным полевым транзистором

Союз Советских Социалистических Рве ублик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К ПАТЕНТУ (ii)791272 (61) Дополнительным к патенту (51)М. Кл.з (22) Заявлено 1 0276 (21) 2322338/18-25 12.02.75 (32) 05.06.75 05.06.75 (33) ФРГ (23) Приоритет вЂ” Р 25.05.816.6 (31) Р 25,25.062.8 P 25.25. 097.9 Опубликовано 23.1280.:Бюллетень NP 47 H L 29/76 Государственный комитет СССР оо делам изобретений и...

791272

Управляемый резистивный элемент

О П И(А"Й И E ИЗОБРЕТЕНИЯ Союз Советскик Социаанстичоскик Ресвубйий (ii>796959 It АВТОРСК©МУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (е1) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 190778 (21) 2667396/18-24 с присоединением заявки N9 (51 М. 1(л з Н 01 L 29/76 Государетвениый коиитет СССР во яеави изобретвяяй я отярмтяя (23)Г)риоритет Опубликовано 150181. Бюллетень Йк 2 (53) УДЫ 681. ззз (088.8) Дата...

796959

Высоковольтный биполярный транзистор

ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий области эмиттера , базы и коллектора, в приповерхностной зоне последней сформированы кольцевые области того же типа проводимости , что и область базы, о т ли ч а ю щ и и с я тем, что, с целью повышения пробивного напряжёЮЕСОшендн HATEHTJS-TEKi i iBKftil БИБЛИОТЕКА ия с одновременным снижением сопроивления насьщения, области выполне...

1039413

Мощный планарный многоэмиттерный транзистор

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ РЕСПУБЛИК (51)5 Н 01 1 29/72 ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ Н А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ IlO ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР 1 (21) 3783827/24-25 (22) 24.08.84 (46) 07,01.90. Бюл, Р 1 (72) Е.З.Иазель, Е.А.Никольский,. Л.E.Ñòåñèí и Т.В.Голованова (53) 621. 382 (088. 8) (56) Отказы Вч-транзисторов, которых не должно быть....

1223796

Мощный свч-многоэмиттерный транзистор

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к конструкции мощных СВЧ генераторных, линейных и импульсных транзисторов. Цель изобретения - увеличение выходной мощности, повышение стабильности и надежности в рабочем режиме за счет улучшения токостабилизирующих свойств резисторов. Балластные эмиттерные тонкопленочные резисторы выполнены из пленок CoSi2 или VSi2 , величина к...

1662306

Мощный вч- и свч-транзистор

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Цель изобретения - увеличение выходной мощности коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности распределения тепла. Транзистор содержит диэлектрическое основание, полупроводниковый кристалл с транзисторными ячейками, балластными резисторами и коллекторными площадками. Длина балластного резистора монотонно убыв...

1679922

Полупроводниковая структура

Изобретение относится к микроэлектронике, к биполярным транзисторам. Цель изобретения - повышение качества изделий за счет повышения пробивного напряжения и уменьшения обратного тока p-n-перехода между активными областями и подложкой. Периферийные области, образующие p-n-переходы с подложкой и между собой, расположены на расстоянии от активных областей, превышающем максимальную ширину объ...

1699313

Мощная свч-транзисторная структура

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, з частности к конструкциям мощных СВЧ-транзисторов. Цель изобретения - повышение максимальной рабочей частоты и коэффициента усиления по мощности транзисторной структуры за счет снижения паразитной емкости контактной площадки. Для этого ширина канавок, протравленных в контактных площадках для уменьшения площади обкладки параз...

1741190

Мощный биполярный транзистор

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к мощным биполярным транзисторам. Цель изобретения - повышение устойчивости транзистора к вторичному пробою при повышенных значениях напряжения коллектор. - эмиттер. Конструкция транзистора содержит множество сильнолегированных полосок 1, находящихся вдоль зубца на расстоянии друг от друга и соединенных общей слаболегир...

1787296

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения

Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная о...

1827146

Полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя

Использование: конструкции полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя, имеющего базовую область с повышенным радиусом кривизны. Сущность: полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя содержит в высокоомном слое первого типа проводимости по крайней мере одну базовую область второго типа проводимости с повышенным радиусом кривизны, состоящую из центральной подобласти с...

1827147

Планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя

Использование: изобретение относится к области полупроводникового производства, а именно к конструкции планарного полупроводникового прибора с высоким напряжением пробоя. Сущность: планарный полупроводниковый прибор с высоким напряжением пробоя содержит в высокоомном слое первого типа проводимости по крайней мере одну базовую область второго типа проводимости, состоящую из центральной обл...

1827148

Мощный биполярный транзистор

Использование: область полупроводникового производства, а именно конструкции мощного биполярного транзистора с повышенной устойчивостью к вторичному пробою, предназначенного, например, для работы в высоковольтных ключевых устройствах. Сущность: мощный биполярный транзистор с повышенной устойчивостью к вторичному пробою имеет эмиттер одной глубины и степени легирования и сложнолегированную...

1827149

Мощный биполярный транзистор

Использование: область полупроводникового производства, а именно конструкции мощного биполярного транзистора с повышенной устойчивостью к вторичному пробою. Сущность: мощный биполярный транзистор содержит в монокристаллической полупроводниковой подложке по крайней ней мере один слой первого типа проводимости, образующий коллекторную область, один слой второго типа проводимости, сопряженны...

1827150

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения

Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения, состоящий из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная о...

1827151

Мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения

Использование: область полупроводникового производства. Сущность: мощный биполярный транзистор с защитой от перенапряжения состоит из рабочей транзисторной структуры и защитного стабилитрона в виде транзистора с "плавающей" базой, интегрированного с указанной рабочей транзисторной структурой в одной полупроводниковой подложке таким образом, что они имеют общий коллектор, а эмиттерная обла...

1827152

Интегральный биполярный транзистор

Использование: проектирование аналоговых и аналого-цифровых базовых матричных кристаллов на основе биполярных транзисторов, обеспечивающих программируемость параметров для аналоговых схем. Сущность изобретения: по каждому из радиальных направлений расположены по одной эмиттерной области симметрично относительно центрально расположенной области. Между контактами к эмиттерным областям расп...

1831966

Полупроводниковый генератор

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано в технике связи, локации, медицинской технике в качестве генератора, усилителя, фотоприемника. Сущность изобретения: полупроводниковая структура генератора содержит два p-n-перехода, плоскости которых параллельны слоям сверхрешетки слаболегированной области, причем последняя снабжена электродом. 1 ил. Изобрет...

2006102

Мощный биполярный транзистор

Использование: область полупроводникового производства. Сущность изобретения: мощный биполярный транзистор гребенчатой структуры имеет коллекторную область первого типа проводимости, базовую область второго типа проводимости и эмиттерную область первого типа проводимости с шириной эмиттерных гребенок a. Новым в конструкции мощного транзистора является то, что расстояние между эмиттерными...

2012101

Способ изготовления полупроводниковых компонентов свч- мощных транзисторных микросборок

Использование: в полупроводниковых приборах, в частности в способах изготовления полупроводниковых компонентов СВЧ-широкополосных мощных транзисторных микросборок с согласующими LC-цепями. Сущность изобретения: способ включает формирование на кремневой пластинке активных областей компонента с локальными изолирующими слоями диэлектрика, создание двуслойного диэлектрика двуокиси кремния и н...

2017271

Высоковольтный планарный p -n-переход

Использование: производство полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: планарный p-n-переход имеет две области различного типа проводимости, причем p-n-переход имеет замкнутую конфигурацию. Вокруг внутренней области сформированы кольцевые зоны одинаковой с ней проводимости в виде соединенной с внутренней областью и развивающейся к периферии спирали с расстояниями между витками спир...

2019894

Интегральный транзистор, устойчивый к обратному вторичному пробою

Применение: изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электр...

2024995

Транзистор с защитой от перенапряжений

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к мощным высоковольтным транзисторам. Сущность изобретения: транзистор содержит в подложке-коллекторе вспомогательную защитную транзисторную структуру с базовой и эмиттерными областями того же типа проводимости, что и основного транзистора, причем эмиттерная область защитного транзистора омически соединена электродом с базов...

2037237

Мощный свч-транзистор

Использование: в полупроводниковой электронике, при конструировании и производстве мощных СВЧ-транзисторов. Сущность изобретения: мощный СВЧ-транзистор содержит два ряда полупроводниковых кристаллов с транзисторными структурами, размещенные на металлическом фланце корпуса - общем выводе коллекторных или стоковых электродов транзисторных структур, первом выводе транзистора, второй и третий...

2054754

H01L29/72 - приборы типа транзисторов, т.е. способные непрерывно реагировать на приложенные управляющие сигналы

Патенты в этой категории