H01L29/739 - управляемые полевым эффектом

Биполярный транзистор с изолированным электродом затвора

Использование: в полупроводниковой технологии. Сущность изобретения: биполярный транзистор с изолированным затвором не имеет элементов затвора, а ток затвора проводится в кристалле биполярного транзистора с изолированным затвором, исходя из вывода затвора, непосредственно через слои поликремния электродов затвора к отдельным ячейкам биполярного транзистора с изолированным затвором. Техническим рез...

2246778

Полупроводниковый прибор с изолированным затвором

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор с изолированным затвором, имеющий активную ячейку (5), содержащую карман (6) канала с проводимостью р-типа, окруженную третьим слоем (8) n-типа, при этом прибор содержит дополнительные карманы (11), сформированные примыкающими к карману (6) канала вне активной полупроводниковой ячейки (5), и...

2407107

Биполярный транзистор с изолированным затвором (igbt) и способ его изготовления

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) включает эмиттерную область, верхнюю область подложки, которая формируется ниже эмиттерной области, плавающую область, которая формируется ниже верхней области подложки, нижнюю область подложки, которая формируется ниже плавающей области, канал, изолирующую пленку затвора, которая покрывает внутреннюю поверхность канала, и электрод затвора, к...

2571175

Интегральная схема силового биполярно-полевого транзистора

Изобретение относится к силовым полупроводниковым приборам и биполярным интегральным схемам. Изобретение обеспечивает повышение быстродействия, уменьшение энергетических потерь при переключении, упрощение технологии изготовления. Интегральная схема силового биполярно-полевого транзистора реализуется с использованием оригинальной функционально-интегрированной конструкции интегральной схемы, в кот...

2585880

H01L29/739 - управляемые полевым эффектом

Патенты в этой категории