H01L29/788 - с плавающим затвором — все патенты категории

Делитель напряжения на мдп-транзисторе

ОПИСАНИЕИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (tl) 598159 (63) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 11,02,76(2!) 2и4з86/18-2s с присоединением заявки Ю (23) Приоритет (51) М. Нл.2 Н 04 1 29/76 Геет@аРатеааана аеватет ееаата Маааетрее СССр ае деаая азаеретеааа а атармтае (53) УДК 621. 382 (088. 8) (43) Опубликовано15,03,78, Б...

598159

Способ управления -канальным накопительным полевым транзистором

Cares Советскнк Соцналнстнческнк Респубанк (61) Дополнительный к патенту (51) М. Кл. Н 01 L 29/76 (22) 33rr8JIeHo 1909,75 (21) 2174708/18 25 (23) Приоритет вЂ” (32) 20.09. 74 Государствеииый комитет СССР ио делам изобретеиии и открытий (31) Р 2445137. 4 (33) ФРГ (53) УДК 62 1. 382 (088. 8) Опубликовано 2505.79, БюллЕтЕнь № 19 Дата опубликования описания 250579 (72) Автор изоб...

664586

Электрически стираемая и программируемая энергонезависимая накопительная ячейка

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: электрически стираемая и программируемая энергонезависимая накопительная ячейка, которая образована только одним образованным переходом исток-канал-сток МОП-транзистором, в котором в полупроводниковой подложке (1) первого типа проводимости выполнены область стока (2) и область истока (3) второго типа проводимости с полярностью, против...

2168242

Трехмерная нейроструктура

Использование: в устройствах и структурах интегральной полупроводниковой микроэлектроники и кремниевой наноэлектронике, в частности в интегральных нейроподобных структурах нейро-БИС и нейро-ЭВМ. Техническим результатом изобретения является расширение функциональных возможностей структуры, уменьшение межэлементных линий связи при высокой плотности трехмерной упаковки, малых мощностях потре...

2173006

Способ изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки с отдельным туннельным окном

Изобретение относится к способу изготовления энергонезависимой полупроводниковой запоминающей ячейки (SZ) с отдельной ячейкой (ТF) с туннельным окном, причем туннельную область (TG) с использованием ячейки (ТF) с туннельным окном в качестве маски выполняют на позднем этапе туннельной имплантации (IТ). Технический результат: получение запоминающей ячейки с небольшой потребностью в площади...

2225055

H01L29/788 - с плавающим затвором

Патенты в этой категории