H01L29/808 - с затвором в виде p-n-перехода

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: на полупроводниковой подложке первого типа проводимости сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости. С помощью области первого типа проводимости, смыкающейся с подложкой, сформирована изолированная область, в которой расположены области истока, затвора, стока полевого транзистора. Исток выполнен в виде двух областей,...

1812898

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: полевой транзистор включает элементы защиты, который выполнен из части подложки, непосредственно примыкающей к центральной части области истока и/или стока. 3 ил. Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к конструкции полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом (ТПУП). Цель изобретения уменьшение геометрических размеров...

1828339

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

Использование: микроэлектроника. Сущность изобретения: на полупроводниковой подложке первого типа проводимости сформирован полупроводниковый слой второго типа проводимости. Подложка содержит концентрацию примеси не менее, чем полупроводниковый слой на ней. С помощью области первого типа проводимости, смыкающейся с подложкой, сформирована изолированная область, в которой сформированы облас...

1828340

Истоковый повторитель

Использование: в микроэлектронике, а именно в конструкции интегральных схем на основе полевых транзисторов, в составе схем высокоомных источников сигнала. Сущность изобретения: в истоковом повторителе, содержащем основной полевой транзистор с управляющим p - n-переходом, выполненный на полупроводниковой подложке первого типа проводимости, на поверхности которой сформирован слой второго ти...

2024111

Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом

Использование: в полупроводниковых приборах, предназначенных для усиления, генерации электрических сигналов в микроэлектронике. Сущность: полевой транзистор с управляющим p-n-переходом, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сформированный на ее поверхности полупроводниковый слой второго типа проводимости, изолирующую область первого типа проводимости, смыкающуюс...

2024996

H01L29/808 - с затвором в виде p-n-перехода

Патенты в этой категории