H01L29/84 - управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления (H01L 29/96 имеет преимущество)

Полупровлдниковый преобразователь давления

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСИОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Респуб пик (61) Дополнительное к ввт. свид-ву (22) Заявлено 180978 (21) 2664916/18-25 (51)М. Кп. с присоединением заявки № (23) Приоритет Н 01 1 29/84 Н 01 Ь. 29/48 Государствеииый комитет СССР оо делам изобретеиий и открыти Й (публикорано 07.1080, Бюллетень ¹ 37 Дата опубликовамия описания 07....

713444

Полупроводниковый механоэлектрический стабилизированный преобразователь (его варианты)

(19)SU(11)1227067(13)A1(51) МПК 6 H01L29/84, G01R9/04(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.01.2013 - прекратил действиеПошлина: (54) ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (ЕГО ВАРИАНТЫ) Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в частности при создании дат...

1227067

Полупроводниковый преобразователь

Полупроводниковый преобразователь на основе полевого транзистора, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями истока и стока противоположного типа проводимости, между которыми расположен канал, электрод затвора, выполненный в виде металлизированной полупроводниковой мембраны и установленный над каналом с зазором, отличающийся тем, что, с целью расширения дин...

1246833

Микроэлектронный механоэлектрический датчик

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при конструировании интегральных полупроводниковых датчиков давления. Цель изобретения - уменьшение размеров, повышение линейности и чувствительности. Упругий элемент датчика выполнен из монокристаллической пластины кремния ориентации { 100 } в виде прямоугольной мембраны. Мембрана состоит их жесткого основания и дефо...

1385951

Преобразователь механического воздействия в электрический сигнал

Изобретение относится к полупроводниковой измерительной технике и может быть использовано при конструировании тензопреобразователей. Цель изобретения - повышение чувствительности. Устройство содержит упругий кремниевый элемент и расположенный на нем тензоэлемент. Тензоэлемент выполнен в виде дрейфового двухколлекторного тензотранзистора p- или n-типа. Продольная ось тензоэлемента p-типа...

1387812

Тензочувствительный интегральный преобразователь

Изобретение относится к полупроводниковой измерительной технике и может быть использовано при конструировании полупроводниковых датчиков давления. Цель изобретения - повышение чувствительности. Тензопреобразователь содержит упругий элемент и мостовую тензосхему. Мостовая тензосхема включает две пары основных МДП-тензотранзисторов взаимодополняющих типов проводимости, соединенных между соб...

1393265

Интегральный тензопреобразователь

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к интегральным первичным преобразователям механических величин. Цель изобретения - уменьшение величины и температуры дрейфа разбаланса. Тензопреобразователь содержит упругий элемент из кремния, на поверхности которого выполнена тензорезистивная структура (ТС). ТС выполнена в виде регулярной ортогональной сетки с квадратными ячейк...

1473637

Интегральный тензопреобразователь

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при конструировании преобразователей механических величин. Цель изобретения - увеличение чувствительности и уменьшение величины и температурного дрейфа разбаланса. Тензопреобразователь содержит однородную полупроводниковую пленку, нанесенную на всю поверхность упругого элемента и электрические контакты к пленке. Элек...

1482480

Интегральный тензопреобразователь

Изобретение относится к измерительной технике, в частности к интегральным тензопреобразователям. Цель изобретения - повышение чувствительности. Интегральный преобразователь содержит кристалл из кремния, выполненного в виде однородной полупроводниковой пленки, нанесенной на поверхность упругого элемента. На пленке расположены девять электрических контактов и дорожки металлизации. Контакты...

1545877

Микроэлектронный датчик

Изобретение относится к измерительной технике, конкретно к микроэлектронному датчику. Цель изобретения - уменьшение стоимости при одновременном уменьшении габаритов, температурной погрешности и повышении надежности датчика. Датчик содержит чувствительный мембранный элемент, крышку-кондуктор, соединенную с чувствительным элементом, и втулку, которые выполнены из кремния. На планарной повер...

1591776

Способ изготовления емкостного преобразователя механических величин

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных преобразователей механических величин, в частности ускорения. Целью изобретения является повышение чувствительности преобразователя и увеличение выхода годных. Способ изготовления преобразователя включает изготовление верхних и нижних плат из стекла с металлизированными обкладками и це...

1671066

Способ изготовления чувствительного элемента пьезорезисторного датчика контактного сопротивления

Изобретение относится к области измерительных приборов, в частности к преобразователям незяектрических величин в электрические сигналы, и может быть использовано , например, для изготовления чувствительных элементов пьезорезисторных датчиков контактного сопротивления. Цель изобретения - увеличение стабильности электрического сопротивления чувствительного элемента путем повышения...

1716578

Тензочувствительный материал

Использование: изобретение относится к области химии полимеров и может быть использовано в измерительной технике при изготовлении электрических тензодатчиков, регистрирующих силу и давление. Сущность изобретения: с целью повышения точности продукт состава (CaH)n, где п 1600-2100, полученного термообработкой полиацетилена аморфной структуры с включением 20% кристаллической гексаго...

1800505

Интегральный балочный тензопреобразователь

Использование: в устройствах измерения перемещений, ускорений, потока, силы и давления. Сущность изобретения: интегральный балочный тензопреобразователь представляет собой прямоугольный модуль из кремния с концентратором механических напряжений в виде поперечного углубления заданных размеров, на рабочей поверхности которого сформирован тензорезистивный мост. Кроме того, для улучшения эксп...

2006993

Магнитотранзистор

Использование: при создании измерительных приборов и автоматических систем управления. Сущность изобретения: предлагается двухколлекторный планарный магнитотранзистор, сформированный в эпитаксиальном слое первого типа проводимости, выращенном на подложке второго типа проводимости, содержащий два параллельных полосковых базовых электрода первого типа проводимости, между которыми расположен...

2008748

Интегральный преобразователь давления

Использование: в устройствах измерения давления. Сущность изобретения: интегральный преобразователь давления представляет собой полупроводниковый кристалл с мембраной, на рабочей поверхности которого сформирован тензорезистивный мост. Каждый тензорезистор окружен высоколегированной охранной областью. На поверхности преобразователя имеется не менее одного омического контакта к кристаллу,...

2035089

Интегральный балочный тензопреобразователь

Использование: в устройствах измерения перемещений и силы. Сущность изобретения: интегральный балочный тензопреобразователь представляет собой прямоугольный модуль из кремния с двумя концентраторами механических напряжений в виде поперечных углублений заданных размеров, на рабочей поверхности которых сформирован тензорезистивный мост. Кроме того, для улучшения характеристик прибора в кра...

2035090

Интегральный балочный тензопреобразователь

Использование: в устройствах измерения перемещений, ускорений, деформации, силы и давления. Сущность изобретения: интегральный балочный тензопреобразователь представляет собой монокристалл, изготовленный из кремниевой подложки n-типа проводимости с концентратором механических напряжений в виде поперечного углубления заданных размеров со стороны не рабочей поверхности. На рабочей поверхнос...

2050033

Способ изготовления интегральных тензопреобразователей

Использование: в измерительной технике. Сущность: способ включает формирование на обеих поверхностях кремниевой пластины первого типа проводимости диэлектрического слоя, нанесение на рабочую сторону пластины слоя тугоплавкого металла, вскрытие окон в периферийной части пластины, анизотропное травление на глубину, равную толщине у других элементов, фотолитографию и вскрытие окон для формир...

2076395

Датчик деформации

Использование: в измерительной технике. Сущность: датчик содержит тензорезистор, представляющий собой поликристаллическую пленку антимонида индия n-типа проводимости толщиной 1-5 мкм с концентрацией носителей заряда 1016 - 1017 см-3. Такие пленки обладают повышенной тензочувствительностью (S= 20-40), что связано с изменением потенциальных барьеров на границе кристаллитов. Кроме тензорезис...

2087052

Емкостной акселерометр и способ его изготовления

Использование: в измерительной технике, при разработке и изготовлении малогабаритного полупроводникового емкостного акселерометра. Сущность изобретения: в емкостном акселерометре, содержащем выполненные из кремния и соединенные между собой через пленку диэлектрика неподвижную плату и рамку, с закрепленной на ней на гибких перемычках подвижной платой, установленной с зазором относительно н...

2114489

Способ изготовления интегрального датчика

Использование: технология изготовления интегральных датчиков. Сущность: способ изготовления интегрального датчика, использующего в качестве чувствительного элемента поликремниевую поверхностную микромеханическую структуру, включает в себя формирование на монокристаллической кремниевой подложке соединений между поликремниевой структурой и схемой путем осаждения слоя высоколегированного пол...

2123220

Микромеханический прибор и способ его изготовления

Изобретения относятся к микроэлектронике. Сущность изобретения: микромеханический прибор содержит тензорезисторный чувствительный элемент, выполненный в полупроводниковой структуре легированного карбида кремния на подложке с диэлектрической поверхностью. В качестве полупроводниковой структуры используют карбид кремния, легированный из расчета соотношения активных и дефектных примесных цен...

2170993

Интегральный преобразователь давления

Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным полупроводниковым преобразователям механических напряжений. Сущность: интегральный преобразователь давления (ИПД) выполнен на единой полупроводниковой подложке, содержит деформируемую внешним воздействием мембранную консоль и окружающее ее опорное основание, а также пполупроводниковый элемент, регистрирующий силу внешн...

2186438

Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др. Технический результат изобретения - повышение чувствительности, упрощение сборки узла чувствительного элемента совместно с его герметизацией и обеспечение контроля герметичности узла при сборке и эксплуатации. Сущность...

2207658

H01L29/84 - управляемые только изменением приложенных механических усилий, например изменением давления (H01L 29/96 имеет преимущество)

Патенты в этой категории