H01L29/861 - диоды — все патенты категории

Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой

Класс 2lg, 131а Л 119271 СССР ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ и АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Ю P. Носов ПЛОСКОСТНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД С ТОНКОЙ БАЗОЙ Заявлено 8 января 1958 r. за № 589490/26 в Комитет по лелам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности, к плоскостным полупроводниковым диодам с тонкой базой, обладающим...

119271

Гетерогенный пленочный р—л-переход

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистически Республик Зависимое от авт, свидетельства № Заявлено 12.IП.1964 (№ 889598/26-25) с присоединением заявки № Кл. 2lg 11yg Приоритет Опубликовано 12.XII.1964. Бюллетень № 24 Дата опубликования описания 18.XII.1964 МПК Н 011 УДК Государственный комитет flo делам изобретений и открытий СССР 0 l. «t...

166965

Силовой диод

Союз Советски к Социалистичвскик Республик »- I т @ ф »»» »I (Ц цв К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (6! ) Дополнительное к авт. свнд-вувЂ” (22) Заявлено23 06.77 (2т)2499444/18 25 (51)M Кл Н01 L, 29/91 с прнсоедвнением заявки %в Гасударственный юатет СССР не делам кзабретвнкй в етквиткл (23). П риорнтет Опубликовано25,12,79. Бюллетень М47 ! Дата опубликования описания 30,12.79, (...

705567

Силовой быстровосстанавливающийся диод

1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями: г...

1261528

Резонансно-туннельный пролетный диод

Изобретение относится к электронной технике, полупроводниковой электронике, СВЧ-полупроводниковым диодам с динамическим отрицательным сопротивлением. Целью изобретения является увеличение КПД и максимальной рабочей частоты резонансно-туннельного пролетного диода путем сокращения фазовой длины пакетов носителей заряда, инжектируемых в пролетный участок, что достигается тем, что по крайней...

1558263

Полупроводниковый переключательный диод

Использование: полупроводниковая техника, для снижения предельной рабочей частоты переключательного диода для состояния "Выключено" и уменьшения требуемого обратного смещения при сохранении малых нелинейных искажений и высокой коммутируемой рабочей мощности, а также малой амплитуды управляющего напряжения. Сущность изобретения: полупроводниковая структура содержит четыре области. Области...

2083028

Полупроводниковый выпрямительный диод (варианты)

Использование: в электронной технике, при конструировании и в технологии изготовления выпрямительных полупроводниковых диодов с p-n переходами. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются исключение краевого эффекта, увеличение напряжения пробоя, снижение уровня электротепловой и магнитотепловой деградации и повышение уровн...

2168799

Высоковольтный диод с резким восстановлением обратного сопротивления

Использование: в полупроводниковой импульсной технике, а именно в полупроводниковых прерывателях тока, которые используются в оконечных каскадах генераторов высоковольтных импульсов наносекундного диапазона в качестве прерывателей тока индуктивного накопителя. Сущность изобретения: в высоковольтном диоде с резким восстановлением обратного сопротивления, который содержит два сильнолегирова...

2197034

Пластинчатый диод

Использование: микроэлектроника, полупроводниковые диоды. Сущность изобретения: параллельно-пластинчатый диод включает металлические электроды и контактирующую с ними пластину полупроводникового материала. Два пластинчатых электрода, выполненных из металла, расположены параллельно друг другу, а между ними расположена тонкая пластина полупроводникового материала. Концентрация носителей в п...

2212079

Высоковольтный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения

Использование: при конструировании полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения выполнен состоящим из n одинаковых последовательно соединенных низковольтных симметричных (р-n-р или n-р-n) ограничителей напряжения, количество которых n опреде...

2213392

Высоковольтный диод

Использование: при создании приборов силовой полупроводниковой техники. Сущность изобретения: высоковольтный диод включает в себя: корпус в виде диэлектрической трубки, на концах которой укреплены электроды, множество последовательно соединенных выпрямительных элементов, размещенных внутри трубки, каждый из которых состоит из металлического основания и полупроводникового кристалла, укрепл...

2231866

Высоковольтный импульсный полупроводниковый симметричный ограничитель напряжения с увеличенной энергией лавинного пробоя

Изобретение относится к области мощных полупроводниковых приборов и может быть использовано при конструировании высоковольтных импульсных полупроводниковых симметричных ограничителей напряжения с малым значением динамического сопротивления и увеличенной энергией лавинного пробоя. Техническим результатом изобретения является увеличение энергии лавинного пробоя высоковольтных импульсных ограничителе...

2280295

Высоковольтный полупроводниковый ограничитель напряжения (варианты)

Изобретение относится к области полупроводниковых ограничителей напряжения и может быть использовано при защите электронных устройств от перенапряжений, а также при конструировании и технологии создания названных приборов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание ограничителя напряжения, конструкция которого не предполагает использование дорогостоящего монокристаллического...

2318271

Высоковольтный диод на основе 6н карбида кремния

Изобретение относится к промышленной электронике и может быть использовано в электрических устройствах, эксплуатируемых в экстремальных условиях: космос, повышенная радиация, высокие температуры. Технический результат, достигаемый при реализации заявленного изобретения, заключается в расширении параметров применимости карбидокремниевого диода в сравнении с аналогичными кремниевыми и арсенидгаллиев...

2340041

Мощный кремниевый диод с улучшенной термостабильностью

Изобретение относится к области конструирования полупроводниковых приборов и может быть использовано в производстве мощных кремниевых диодов с улучшенной термостабильностью. Техническим результатом изобретения является получение положительной температурной характеристики прямого напряжения во всем требуемом интервале плотностей прямого тока. Сущность изобретения: в мощном кремниевом диоде с улуч...

2352022

Диод силовой низкочастотный выпрямительный непланарный и способ его изготовления

Изобретение относится к области силовой промышленной электронной техники. Сущность изобретения: диод силовой низкочастотный выпрямительный непланарный на рабочий ток свыше 1000 А и рабочее напряжение не менее 1000 В содержит внутренний контакт, на котором закреплена непланарная полупроводниковая кремниевая структура трубчатой формы из сплошного слитка кремния, выращенного в направлении <111>...

2411611

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двухконтактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, выпо...

2412897

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. В наноэлектронном полупроводниковом диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3, спейсеров, выполненных из GaAs, и гетероструктуры в составе трех чередующихся областей: потенциальных барьеров, вып...

2412898

Диод на основе одностенной углеродной нанотрубки и способ его изготовления

Изобретение относится к технологическим процессам производства компонентов микроэлектроники и вычислительных схем. Сущность изобретения: диод на основе одностенной углеродной нанотрубки включает одиночную одностенную углеродную нанотрубку, содержащую модифицирующие вещества. Нанотрубка содержит две части, первая обладает одним типом проводимости, а вторая - другим, отличным от первого. Диод содер...

2414768

Наноэлектронный полупроводниковый выпрямительный диод

Изобретение относится к электронным приборам, в частности к полупроводниковым приборам, и может быть использовано для выпрямления переменного тока в радиоаппаратуре, радиоизмерительных приборах и системах. Сущность изобретения: в наноэлектронном полупроводниковом выпрямительном диоде, состоящем из двух контактных областей, выполненных из легированного GaAs с концентрацией Si 1×1018…1×1019 1/см3,...

2415494

Импульсный лавинный s-диод

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в источниках питания полупроводниковых лазеров, мощных полупроводниковых светодиодов, диодов Ганна, системах сверхширокополосной локации. Сущность изобретения: в структуре импульсного лавинного S-диода на основе арсенида галлия, легированного железом, между слоями π- и ν-типа дополнительно помещен слой π-типа с высоким удельным...

2445724

Блокирующий диод для солнечных батарей космических аппаратов

Изобретение относится к области дискретных полупроводниковых приборов, в частности к блокирующим диодам для солнечных батарей космических аппаратов. Техническим результатом заявленного изобретения является создание бескорпусного блокирующего диода для солнечных батарей космических аппаратов с высоким пробивным напряжением, низким прямым напряжением, устойчивого при термоциклировании в широком диа...

2457578

Высоковольтный самосовмещенный интегральный диод

Использование: микроэлектроника, полупроводниковая электроника. Сущность изобретения: интегральный диод содержит область, состоящую из сильно легированной области первого типа проводимости, расположенную над диэлектриком, сформированным в подложке, и слабо легированную область того же типа проводимости, расположенную над сильно легированной областью, эти области окружены щелевой комбинированной...

2492552

Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе галлия и мышьяка

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов. Мультиэпитаксиальная структура кристалла двухинжекционного высоковольтного гипербыстровосстанавливающегося диода на основе соединений галлия и мышьяка содержит высоколегированную монокристаллическую подложку p+-типа проводимости, с разностной концентрацией акцепторной и донорной легирующих примесей не менее чем 3·1018 см-3 и толщиной н...

2531551

Полупроводниковый диод с отрицательным сопротивлением

Изобретение относится к области полупроводниковой электроники. В диоде с отрицательным дифференциальным сопротивлением согласно изобретению объединены два комплементарных полевых транзистора в единую вертикальную структуру с параллельно расположенными каналами, между которыми образуется электрический переход, при этом исток р-канала расположен напротив стока n-канала, а сток р-канала - напротив...

2550310

H01L29/861 - диоды

Патенты в этой категории