Периферия полупроводникового прибора, нейтрализующая влияние зарядов на стабильность обратных утечек и пробивного напряжения
Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к высоковольтным полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: в периферии полупроводникового прибора, содержащей периферийный P-N-переход кольцевого типа, покрытый диэлектрической пленкой и окруженный над диэлектрической пленкой спиральной токопроводящей пленкой с диодами Зенера, концы спирали подсоединены к Р-...