H01L29/93 - диоды с регулируемой емкостью, например варакторы

Емкостный триод

Союз Советскик Социалистическит Республик К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 23.Ч11.1969 (№ 1351636/26-25) с присоединением заявки ¹ Приоритет Опубликовано 23.1.1973. Бюллетень № 8 Дата опубликования описания 16.П1.1973 М. Кл. Н О1! 11/00 Н 01т 7) 00 Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР УДК 621.382.2(088.8) Авт...

367490

Мдп-варикап

Союз Советских Социалистических Республик 85З7О8 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (б1) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 190979 (21) 2828610/18-25 з Н 01 L 29/93 с присоединением заявки МвЂ” (23) Приоритет Государственный комитет С С С P но делам изобретений и открытий Опубликовано 070881, Бюллетень 29 (53) УДК 621. 382 (088. 8) Дата опубликования описания 070881 (72) Автор...

853708

Туннельно-пролетный полупроводниковый диод

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым диодам с динамическим отрицательным сопротивлением. Целью изобретения является увеличение отрицательного динамического сопротивления, КПД, полезной мощности и максимальной рабочей частоты туннельно-пролетного диода с резонансно - туннельной инжекцией носителей заряда, это достигается тем, что полупроводниковые слои...

1559993

Варактор магнетронного типа

Использование: в электронике и радиотехнике больших мощностей, в частности в колебательных системах с управляемым реактивным элементом. Изобретение может быть использовано в ускоряющих станциях быстроциклирующих ускорителей. Сущность изобретения: для увеличения долговечности варактора и расширения области рабочих реактивных мощностей в варактор магнетронного типа, включающий центральный э...

2055448

Варактор

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, реактивностью которых управляют с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор состоит из рабочей области из однородно легированного полупроводника с омическим контактом, на которой сформирован p-n переход с другим контактом. Рабочая область выполнена в форме усеченной треугольной призмы: стороны основания L1, L2 и D. На боковых гр...

2083029

Варактор

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варакторам, полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варактор, состоит из рабочей области, выполненной в виде полупроводника электронного либо дырочного типа проводимости, с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n переход или барьер Шоттк...

2086044

Варикап

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, а именно к варикапам полупроводниковым приборам, реактивностью которых можно управлять с помощью напряжения. Сущность изобретения: варикап, состоящий из полупроводниковой пленки с омическим контактом, размещенной на подложке противоположного в пленкой типа проводимости или на металлической подложке, образующей с пленкой барьер Шоттки, с...

2086045

Варактор

Использование: изобретение относится к области полупроводниковых приборов, реактивностью которых управляют, с помощью напряжения, а именно к варакторам. Сущность: в варакторе, состоящем из рабочей области с омическим контактом, на которой сформирован р-n переход или барьер Шоттки с другим контактом, рабочая область выполнена в виде плоскопараллельной пластины из полупроводника, в котором...

2102819

Полупроводниковый прибор

Использование: микроэлектроника, при создании параметрических усилителей и генераторов и безинерционных конденсаторов переменной емкости. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит полупроводник в виде пленки с полупроводниковым переходом, сформированным с неоднородным вдоль поверхностной координаты x примесным профилем. На поверхности полупроводника сформированы вдоль поверх...

2117360

Варикап

Использование: микроэлектроника, полупроводниковые приборы. Сущность изобретения: варикап состоит из полупроводника с омическим контактом, на поверхности которого сформирован p-n-переход с другим контактом. Полупроводник выполнен в виде пленки, размещенной на подложке, под рабочим участком пленки 0 x Xmax, z1(x) z z2(x), в том числе однородно легированным вдоль x и имеющим однородную...

2119698

Полупроводниковый прибор

Использование: при создании параметрических усилителей и генераторов и перестраиваемых в широких пределах резонансных контуров. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит диэлектрический или полупроводниковый слой, на поверхности которого сформирован проводящий участок, выполненный в виде спирали, на поверхности спирали сформирована полупроводниковая пленка электронного либо...

2163045

Полупроводниковый прибор

Изобретение относится к микроэлектронике. Прибор может быть выполнен в виде управляемых напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит полупроводник, на поверхности которого сформированы две сильнолегированные области противоположного с полупроводником типа проводимости с омическими контактами к ним, слой изолятора, сформ...

2278448

Полупроводниковый прибор

Использование в микроэлектронике. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит первый полупроводниковый слой электронного либо дырочного типа проводимости с омическим контактом к нему, на части поверхности которого сформирован второй полупроводниковый или металлический слой, образующий с первым полупроводниковым слоем полупроводниковый переход, с другим омическим контактом, на части вне...

2278449

Полупроводниковый прибор

Изобретение относится к области полупроводниковых приборов и может быть использовано в микроэлектронике. Прибор может быть выполнен в виде управляемых напряжением конденсатора переменной емкости, варикапа, транзистора, линии передачи. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор содержит изолирующий слой, на одной части поверхности которого сформирован проводящий участок, а на другой части повер...

2279736

Варикап

Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью, предназначенным для использования в частотно-избирательных устройствах. Сущность изобретения состоит в том, что в варикапе, содержащем корпус, размещенную в корпусе р+-n-n+-мезоструктуру, ограниченную двумя контактными площадками к р+- и n+-слоям, и два внешних вывода, места выхода р+-n-перехода и примыкающих к этому переход...

2320050

Сборка из двух варикапов с общим катодом (варианты)

Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью. Предлагается три варианта сборки из двух варикапов с общим катодом. Во всех вариантах сборки боковые поверхности р+-n-n+-мезоструктур выполнены наклонными относительно их центральных осей, и их наклонные поверхностные полупроводниковые слои преобразованы в поверхностные диэлектрические слои. В первом варианте сборки две мезо...

2325002

Варикап и способ его изготовления

Изобретение относится к области микроэлектроники и микросистемной техники и представляет собой конденсатор с емкостью, управляемой напряжением, т.е. варикап. Варикап представляет собой гетероструктуру «металл-пористый кремний», где поры пористого кремния заполнены металлом с помощью электрохимического осаждения. Варикап может применяться в интегральных устройствах электронной аппаратуры для перест...

2614663

H01L29/93 - диоды с регулируемой емкостью, например варакторы

Патенты в этой категории