H01L31/102 - отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера

Фототриод

Класс 2Ig, 29!о 42h, 17 № l2I88l СССР К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ В. С. Янович ФОТОТРИОД 3( oI. имеет полностью открытую для светя сьс!Очувствнтел(н!ую ря«о(ую IioB! р. ПОсть коллектора, B кячеcTBc KQTopol служн7 п 1DcTiIi!3i3. Пя 1рнiep, из гсръ!Янг!11, распо.! Ожени яя на метя:1л н (с кой под, 10>ккс с Отв(1 секем, н рабочее напряжение прикладывает;я между ко7лсктсроз! .ми...

121881

Фотодиод на антимониде индия

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - фотодиодами на антимониде индия (InSb). Фотодиод на антимониде индия содержит подложку из антимонида индия n-типа проводимости со сформированным в ней р-n переходом, защи...

2324259

Полупроводниковый фотодиод для инфракрасного излучения

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники, конкретно - к приемникам инфракрасного (ИК) излучения, и может найти применение в спектрометрах, в системах обнаружения, слежения, охранных и противопожарных системах и связи. Фотодиод (1) инфракрасного излучения содержит p- и n-области (2, 3, 7) с токоподводящими непрозрачными контактами (4, 5) и активную область, электрически с...

2521156

H01L31/102 - отличающиеся наличием только одного потенциального или поверхностного барьера

Патенты в этой категории