Полупроводниковый детектор излучения, оптимизированный для обнаружения видимого света
Полупроводниковый детектор излучения содержит подложку из полупроводникового материала, на первой стороне которой в перечисленном порядке расположены: слой модифицированного внутреннего затвора из полупроводника с электропроводностью второго типа, запирающий слой из полупроводника с электропроводностью первого типа и пиксельные полупроводниковые области легирования с электропроводностью второго т...