H01L47/02 - приборы с эффектом Ганна — все патенты категории

Диод ганна

(19)SU(11)747373(13)A1(51) МПК 5 H01L47/02(12) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯк авторскому свидетельствуСтатус: по данным на 17.12.2012 - прекратил действиеПошлина: (54) ДИОД ГАННА Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при конструировании диодов Ганна для усилителей и генераторов СВЧ. Известен диод Ганна, содержащий полупроводни...

747373

Активный элемент на эффекте ганна,управляемый напряжением

Союз Советских Социалистических Республик ОП ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (») 817819 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 23.03.79 (21) 2757334/18-25 (51) М.К . (72) А вторы изобретения Л. Л. Люзе, Р. Б. Бурлаков, В. В. Копылов и И. Л. Блесман (71) Заявитель Омский государственный уни р 1+4 ( (54) АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ НА ЭФФЕКТЕ ГАННА, УПРАВЛЯЕ...

817819

Диод ганна

Изобретение относится к диодам Ганна и может быть использовано при конструировании полупроводниковых СВЧ-генораторов. Цель изобретения - повышение выходной СВЧ-мощности и частоты колебаний. Диод Ганна содержит активную и две контактные области , причем в активной области сформированы слои повышенной концентрации примеси. Эти слои приводят к частичной релаксации на них домена силь...

1676402

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

Изобретение относится к электронной технике, а именно к полупроводниковым приборам на основе переноса электронов, и может быть использовано в приборах для генерирования СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: высокочастотный прибор на эффекте Ганна содержит активный слой из полупроводникового материала данного типа проводимости, сформированных на нем с двух сторон полупроводниковых слоев вто...

2014673

Твердотельное устройство бегущей волны (варианты)

Использование: в радиотехнике, в частности в конструкции твердотельных устройств бегущей волны, предназначенных для усиления или генерации электромагнитных волн миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Сущность изобретения: твердотельное устройство бегущей волны содержит волноведущую структуру, состоящую из диэлектрического слоя, токопроводящего полупроводникового слоя с двумя элек...

2037916

Полупроводниковый прибор на эффекте ганна

Использование: в электронной технике, а именно в полупроводниковых приборах на основе переноса электронов, например в приборах для генерирования СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: высокочастный прибор на эффекте Ганна содержит полупроводниковый материал n-типа проводимости со сформированными на нем полупроводниковыми слоями n-типа проводимости со стороны анодного контакта и n++-типа со...

2054213

Способ изготовления высокочастотного прибора на эффекте ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока

Использование: в электронной технике, в технологии производства полупроводниковых приборов, для производства высокоэффективных приборов на эффекте Ганна с катодом с ограниченной инжекцией тока. Сущность изобретения: матрицы окон формируют прямоугольной формы в защитном маскирующем слое, причем ось симметрии прямоугольного окна, параллельная большей стороне прямоугольника, совпадает с одни...

2061277

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

Использование: электронная техника, в частности полупроводниковые приборы на основе переноса электронов для генерации СВЧ колебаний. Сущность изобретения: высокочастотный прибор содержит активный слой из полупроводникового материала GaAs N-типа проводимости, сформированных на нем со стороны анодного контакта слоя N+-типа проводимости и со стороны катодного контакта локальных областей слоя...

2062533

Диод ганна

Использование: в электронной технике. Сущность изобретения: кристалл диода имеет два разделенных объема с малой и большой площадями контактов. Диод содержит n+ контактный слой, n-активный слой, и, n+ буферный слой, соединенные между собой общей подложкой. Кристалл имеет форму квадрата в плане. Контакт большей площади - это анодный контакт, он имеет форму равнобедренного прямоугольного тре...

2064718

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

Использование: в электронной технике. Сущность: прибор содержит полупроводниковый материал GaAs n-го типа проводимости, расположенные друг напротив друга анодный и катодный контакты, катодный контакт содержит области, инжектирующие ток, n+-го типа проводимости, окруженные областями, ограничивающими инжекцию тока, выполненными в виде обратносмещенного барьера Шоттки. Со стороны анодного ко...

2086051

Высокочастотный прибор на эффекте ганна

Использование: в радиотехнической аппаратуре для генерирования СВЧ колебаний. Сущность изобретения: в высокочастотном приборе на эффекте Ганна область катода, инжектирующая ток, выполнена в виде локальных гетероинжекторов последовательно состоящих из металла с большей шириной запрещенной зоны, чем у материала n - GaAs, AlxGa1-xAs с постоянным значением параметра x, контактирующего, с одно...

2091911

Диод ганна (варианты)

Изобретение относится к электронной техникe, в частности к конструированию и технологии изготовления полупроводниковых сверхвысокочастотных (СВЧ) диодов Ганна, и может быть использовано в электронной и радиоэлектронной промышленности. Техническими результатами, которые могут быть получены при осуществлении всех вариантов изобретения, являются повышение выходной мощности СВЧ-колебаний и сн...

2168801

Полупроводниковый прибор с междолинным переносом электронов

Изобретение относится к области твердотельной СВЧ-электроники и может быть использовано при конструировании СВЧ-модулей, предназначенных для генерации, усиления и преобразования колебаний. Полупроводниковый прибор с междолинным переносом электронов содержит последовательно соединенные слои металла и полупроводника слой n1 из которых образует активную пролетную область для электронов, слои обра...

2361324

Диод ганна

Изобретение относится к микроэлектронике. Диод Ганна включает активный слой с изменяющимся, вдоль электрического поля, уровнем легирования, при этом согласно изобретению толщина активного слоя диода Ганна изменяется в диапазоне (1.0-1.8) мк, уровень легирования носителей тока в активном слое равномерно изменяется от (1.1-1.4)* 1016 см-3, на первой границе активного слоя, до (1.8-2.4)*1016 см-3, н...

2456715

H01L47/02 - приборы с эффектом Ганна

Патенты в этой категории