H01S5/30 - структура или форма активной зоны; материалы для нее

Полупроводниковый лазер с гетеропереходами

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (и):5 21806 (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” 2 (51) М. Кл. Н 01 S 3/18 (22) Заявлено 06. 11,73 (21) 3.,96 7931/26-25 с присоединением заявки №« (23) ПриоритетвЂ” Государственный комитет Совета Министров СССР оо делом изобретений и открытий (43) Опубликовано 25.08.7.7.Бюллетень №3...

521806

Твердотельный квантовый усилитель и генератор электромагнитного излучения

ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ КВАНТОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ И ГЕНЕРАТОР ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ на основе монокристапличес- • кой структуры с одновременным периодическим изменением потенциала, отличающий с я тем, что, с целью увеличения мощности когерентного излучения и осуществления перестройки его частоты, указанная структура выполнена из периодически чередующихся двух слоев материалов с различными ш...

594843

Лазер с акустической распределенной обратной связью

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советских Социалистических Уесиубиик (6l) Дополнительиое и авт. свий-Ву (22) Заявлеио020675 (23) 2139792/18-25 с присоедииеиием заявки _#_a (ЬЦ AL КЛ. Н 01 8 3/18 Государственный номнтет СССР но делам нзобретеннй и открытнй (23) Приоритет Опубликовано 15.0379. Бюллетеиь % 10 (Щ УЛК 621.375. 8 (088. 8) Дата опубликования...

622378

Активный элемент полупроводникового квантового генератора

ОП ИСАНИ Е ИЗОВРЕТЕ Н ИЯ Союз Советскнк Соцналнстнческих Реснублнк < >673103 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (63) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 06.09.7 6(21) 24067 63/18-25 с присоединением заявки ЭЙ (51)М. Кл. Н 01 S 3/18 Веуаарвтнвнньй кемнтвт СССР не денем нэвбрвтвннй н еткрытнй (23) Прморитет -вЂ” Опубликовано 25.02.80- Бюллетень J% 7 (53) УДК 621.375..8 (08...

673103

Способ определения ресурса работы инжекционных лазеров

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ) 5е где t,ð" вЂ” усредненное значение ресурса работы, экспериментально определенное для 1 вЂ” 5 /о образ-, цов при 40 вЂ” 90 С; ит* = т вЂ” т; то* вЂ” температура, при которой испытывались образцы. Зависимость мощности генерируемого .излучения снимают до частоты следования импульсов, прй которой величина мощности уменьшается...

753329

Способ определения ресурса работы инжекционных лазеров

86796 ОЙ ИСААКИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Соав Советских Социалистических Ресиу">лик (61) Дополнительное к авт. свид-вувЂ” (22) Заявлено 25.04.79 (21) 2759298/18-25 с присоединением заявкивЂ” 1 (23) ПриоритствЂ” (43) Опубликовано 07.02.82. Бюллетень № 5 (45) Дата опубликования описания 07.02.82 (51) М.Кл Н 01 $3/18 3осударственимй квинтет СССР fl0 делам нзайр...

786796

Генератор оптических импульсов

Генератор оптических импульсов, содержащий входной оптический волновод и выходной волновод, связанные с замкнутым оптическим волноводом посредством соединительного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности амплитуды выходных импульсов, уменьшения габаритов и достижения возможности запуска устройства электрическим импульсом, замкнутый волновод выполнен на одной подлож...

1416016

Оптический усилитель поверхностного типа и способ его изготовления

Оптический усилитель поверхностного типа имеет активный слой (13) участка (11) усиления света, размещенный между плакировочным слоем (12) полупроводника n-типа, который является полупроводниковым слоем n-типа, и многослойным отражательным зеркалом (14) полупроводника р-типа. Участок усиления света крепят к прозрачной подложке (21) на стороне плакировочного слоя полупроводника n-типа. Множ...

2222853

Полупроводниковый инжекционный лазер

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, к лазерам на основе многопроходных p-n гетероструктур. Лазер состоит из легированной активной области в виде полупроводникового слоя толщиной от 0,1 мкм до нескольких диффузионных длин не основных носителей. Активная область расположена между двумя широкозонными слоями n- и p-типов проводимости с омическими контактами. Между широкозонными слоями...

2301486

Инжекционный лазер

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения. Инжекционный лазер на основе полупроводникового материала AIIIBV и его твердых растворов с интерференционным покрытием по крайней мере на одной оптической грани, состоящим из переходного слоя, эпитаксиальной пленки селенида цинка, имеет п...

2308795