H01S5/32 - с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S 5/34 имеет преимущество)

Инжекционный лазер

Жс.. sai-ф,и. Ф Ф ° ) оп ИЗОБРЕТЕН ИЯ Союз Советских Социалистимеских Республик (11) 300126 К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 05.05.69 (21) 1333240/26-25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01.77.Бюллетень № 1 (45) Дата опубликования описания06.05.77 (51) М. Кл. Н 01 $3/19 Н 01 L 31/00 Государственный комите...

300126

Полупроводниковый оптический квантовый генератор

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДВТВДЬСТВУ Союз Советских Социалистических Республик (11) 382875 (61) Дополнительное к авт, свид-ву(22) 3аявлено 19,07,71 (21) 1677436/26»25 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано05.01.77.Бюллетень № 1, (45) Дата опубликования описания 27.04.77 (51) М. Кл. Н 01 S 3/19 Государственный комитет Совета Министрав СССР о...

392875

"интегральная матрица полупроводниковыхлазеров для оптических линий связи4

Союз Советских Социалистических Республик О П И С А Н И Е ()749333 ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву I (51)М. Кл. (22)ЗаЯвлено 12, 10,78 (21) 2674579/18-25 с присоединением заявки Ле Н 01 5 3 /18 Йсударствеииый комитет СССР аа делам иэебретеиий и втирытий (23) Приоритет Опубликовано 30,06. 81. Бюллетень,% 24 (53) УДК 621.375..8 (088....

749333

Полупроводниковый лазер с продольной электронной накачкой

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С ПРОДОЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ НАКАЧКОЙ , включающий устройство возбуждения , активный элемент с нанесенными на него зеркалами и хладопровод, отличающийся тем, что, с целью уменьшения порогового тока генерации, увеличения мощности и КПД, активный элемент лазера выполнен из полупроводниковой гетеростИзобретение относится к полупроводниковому приборостроению и...

1034569

Инжекционный лазер

Изобретение относится к области устройств со стимулированным излучением , конкретно к полупроводниковым лазерам, и может быть использовано в интегрально-оптических устройствах. Целью изобретения является обеспечение селекции мод излучения. В полупроводниковом лазере, включающем плоский резонатор и активную волноводную область, один из отражателей выполнен в виде по крайней мере о...

1359833

Излучательный модуль на основе линейки лазерных диодов (варианты)

Изобретение относится к области конструирования и применения полупроводниковых лазеров, в частности разработки излучателей на основе лазерных диодов, для сборки матриц лазерных диодов, используемых в качестве источника накачки мощных твердотельных лазеров. Модуль состоит из линейки лазерных диодов (ЛЛД) и прикрепленной к ней со стороны активного слоя теплоотводящей пластинки, содержащий в...

2150164

Способ изготовления омического контактного слоя и полупроводниковое устройство ii-vi групп

Изобретение относится к области технической физики. Сущность: способ изготовления омического контактного слоя на слое p-типа на полупроводнике (пп) II-VI групп в камере молекулярно-лучевой эпитаксии, в качестве источника элемента VI группы выбирают: источник элемента Хm, где m<6; источник элемента Sem, где m<6; термически расщепленный Se. Легирующую примесь p-типа вводят в виде своб...

2151457

Полупроводниковый лазер

Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Предложена конструкция лазера, в которой теплоотводы присоединены к кристаллу с двух сторон, причем теплоотвод со стороны подложки локально либо полностью примыкает непосредственно к эпитаксиальным слоям гетероструктуры, кроме того, теплоотвод...

2153745

Оптическое устройство

Длинноволновый лазер VCSEL в соответствии с настоящим изобретением оптически соединен с коротковолновым электрически накачиваемым лазером VCSEL и оптически накачивается им.Коротковолновое излучение, испускаемое с верхней поверхности нижележащего лазера VCSEL, проходит через нижнее зеркало длинноволнового лазера VCSEL. Длинноволновое излучение предпочтительно испускается с верхней поверхно...

2153746

Линейка лазерных диодов

Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. Сущность: линейка лазерных диодов с просветляющим покрытием внешнего торца имеет высокоотражающее покрытие заднего глухого торца, содержит лазерные диоды, цилиндрическую микролинзу, плоское внешнее зеркало, причем в линейке использованы широ...

2166820

Линейка лазерных диодов

Изобретение относится к области полупроводниковых лазеров и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. Сущность: линейка лазерных диодов с просветляющим покрытием внешнего торца имеет высокоотражающее покрытие заднего глухого торца, содержит лазерные диоды, цилиндрическую микролинзу, плоское внешнее зеркало, причем в линейке использованы широ...

2166821

Линейка лазерных диодов

Изобретение относится к полупроводниковым лазерам и может быть использовано в волоконно-оптической связи, медицине, при обработке материалов. Линейка лазерных диодов с просветляющим покрытием внешнего торца имеет высокоотражающее покрытие заднего глухого торца, содержит лазерные диоды, цилиндрическую микролинзу, плоское внешнее зеркало, причем в линейке использованы широкоапертурные (S &g...

2166822

Способ изготовления инжекционного лазера

Изобретение относится к способам изготовления инжекционных лазеров на основе гетероструктур. Способ включает выращивание первого ограничительного слоя, содержащего легированный подслой первого типа электропроводности и состава, обеспечивающего наибольшее оптическое ограничение излучения, активного слоя, второго ограничительного слоя, содержащего легированный подслой второго типа электропр...

2176841

Способ регулирования диапазона рабочих частот лазерной модуляции

Изобретение относится к способам, обеспечивающим регулирование полосы лазерной модуляции эффективных высокомощных полупроводниковых инжекционных лазеров, в том числе с одномодовым, одночастотным излучением. Способ включает создание гетероструктуры с активным слоем и прилегающими к нему с двух сторон ограничительными слоями, включающими с каждой стороны по крайней мере по одному ограничите...

2176842

Полупроводниковый прибор

Использование: в полупроводниковых приборах, у которых активная область сформирована из гетероэпитаксиальных пленок, выполненных из широкозонных нитридных соединений типа АIIIBV. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор включает монокристаллическую сапфировую подложку с ориентацией рабочей поверхности, содержащей направление на которой расположена гетероэпитаксиальная слоистая стру...

2186447

Излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный

Изобретение относится к лазерной технике. Предложен излучатель лазерный полупроводниковый инжекционный, содержащий в герметичной оболочке, состоящей из корпуса с выводами и крышки со стеклом, решетку лазерных диодов, установленных на плоскости корпуса, перпендикулярной к оси излучения. Решетка лазерных диодов выполнена в виде одинаковых блоков лазерных диодов, минимальное число которых оп...

2187183

Полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом (варианты)

Изобретение относится к области электронной техники. Предложен полупроводниковый инжекционный лазер с р-n переходом, содержащий монокристаллический полупроводниковый вырожденный n+ типа слой, монокристаллический полупроводниковый n типа слой, монокристаллический полупроводниковый р типа слой, металлический контакт n типа слоя и металлический контакт р типа слоя. Согласно первому варианту...

2197046

Полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель

Использование: в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, в медицинской аппаратуре, в конструкциях лазеров. Изобретение состоит в модернизации гетероструктуры полупроводникового усилительного элемента, в комплексном подборе составов и толщин слоев гетероструктуры, обеспечивающих работу в узкой переход...

2197047

Инжекционный лазер

Использование: в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, в медицинской аппаратуре, в конструкциях лазеров. Сущность изобретения: существенное отличие предложенного инжекционного лазера состоит в модернизации его гетероструктуры, в комплексном подборе составов и толщин ее слоев, обеспечивающих ее рабо...

2197048

Гетероструктура

Использование: для создания инжекционных источников излучения, которые применяются в волоконно-оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, в медицинской аппаратуре. Сущность изобретения: существенное отличие предложенной гетероструктуры инжекционного лазера состоит в модернизации его гетероструктуры, в комплексном...

2197049

Инжекционный лазер

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а точнее - к полупроводниковым лазерам, которые могут быть использованы, например, в качестве источника оптического излучения для накачки волоконных усилителей, волоконных и твердотельных лазеров. Технический результат: обеспечение возможности уменьшения расходимости излучения инжекционного лазера при сохранении высокого значения КПД и выходно...

2259620

Полупроводниковое лазерное устройство, генерирующее излучение высокой мощности (варианты), и способ его изготовления

Изобретение относится к квантовой электронике и может быть использовано при производстве полупроводниковых лазеров. Технический результат изобретения: обеспечение генерации лазерного излучения в диапазоне длин волн 0,7-1,2 мкм и обеспечение надежной работы устройства в случае его работы на высокой выходной мощности. Сущность: На подложку n-GaAs послойно наносят нижний слой n-Alz1Ga1-z1As оболочки,...

2272344

Гетероструктура, инжекционный лазер, полупроводниковый усилительный элемент и полупроводниковый оптический усилитель

Использование: гетероструктуры используются для создания полупроводниковых инжекционных источников излучения: инжекционных лазеров, полупроводниковых усилительных элементов, полупроводниковых оптических усилителей, которые применяются в волоконно-оптических системах связи, и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, при создании медицинской аппарат...

2278455

Инжекционный излучатель

Инжекционные излучатели используются в качестве высокоэффективных твердотельных источников излучения в широком диапазоне длин волн, в том числе и светодиодов. Технический результат изобретения: создание высокоэффективных и надежных инжекционных излучателей с поверхностным выводом излучения в виде множества выходных лучей. Сущность: излучатель включает полупроводниковую гетероструктуру, содержащую...

2300826

Способ генерации оптического излучения и источник оптического излучения

Изобретение предусматривает устройство и способ генерации оптических импульсов с использованием импульсов тока. Устройство представляет собой полупроводниковую структуру, в которой инжектор носителей отделен от оптически активной области потенциальным барьером для инжектированных носителей и для носителей с малой подвижностью в полупроводниковом элементе. Они способствуют образованию сильного элек...

2306650

H01S5/32 - с PN переходами, например гетероструктуры или двойные гетероструктуры (H01S 5/34 имеет преимущество)

Патенты в этой категории