H01S5/323 - в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер

Туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура

Изобретение относится к полупроводниковой технике, квантовой оптоэлектронике и может быть использовано для разработки мощных когерентных импульсных источников излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур. Сущность изобретения: туннельно-связанная полупроводниковая гетероструктура включает подложку (1) GaAs n-типа проводимости, на которую последовательно нанесены буферный слой...

2396655

Линейка лазерных диодов

Изобретение относится к полупроводниковой электронике. Линейка лазерных диодов состоит из параллельно включенных лазерных диодов на основе полупроводниковых А3В5 лазерных гетероструктур, многослойных окислов и многослойной контактной металлизации на верхней и нижней плоскостях линейки, при этом внешние проводящие слои металлизации выполнены из германия. Технический результат заключается в обеспеч...

2455739

Полупроводниковый лазер

Изобретение относится к квантовой электронике. Полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру, выращенную на подложке GaAs, ограниченную перпендикулярными оси роста торцовыми поверхностями, с нанесенными на них покрытиями, с одной стороны - отражающим, а на другой - антиотражающим, и включающую волноводный слой с активной областью, сформированный p-i-n-переход, контактный слой и ограничительны...

2535649

Нитридный полупроводниковый ультрафиолетовый светоизлучающий элемент

Данный нитридный полупроводниковый ультрафиолетовый светоизлучающий элемент обеспечивается: базовой секцией структуры, которая включает в себя сапфировую подложку (0001) и слой AlN, сформированный на подложке; и секцией структуры светоизлучающего элемента, которая включает в себя слой покрытия n-типа полупроводникового слоя AlGaN n-типа, активный слой, имеющий полупроводниковый слой AlGaN, и сло...

2561761

H01S5/323 - в соединениях типа AIIIBV, например AlGaAs-лазер

Патенты в этой категории