H01L43 - Приборы с использованием гальваномагнитных или аналогичных магнитных эффектов; способы и устройства, предназначенные специально для изготовления и обработки этих приборов или их частей (приборы, состоящие из нескольких компонентов на твердом теле, сформированных на общей подложке или внутри нее, H01L 27/00; приборы с поверхностным барьером или потенциальным барьером, на котором имеет место скачкообразное изменение потенциала, управляемые изменением магнитного поля, H01L 29/82)

Патент ссср 182778

ОПИСАЫИ Е ИЗОБРЕТЕЫИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ I82 778 Союз Ссеетских Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 12.IV.1965 (№ 1003108/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 09.Ч1.1966. Бюллетень № 12 Дата опубликования описания 6.VIII.1966 Кл. 21Ь, 27/01 Коттитет по полов иаобротоиий и открытий при Сосете 1йииистроо СССР МПК Н...

182778

Гальваномагнитный охладитель

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Союз Советскит Социалистическик Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 11.XII.1965 (№ 1042197/26-25) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 29,VII.1967. Бюллетень № 16 Дата опубликования описания 2.Х.1967 Кл. 21b; 27/01 21g, 11/02 МПК Н Olm; Н Oll УДК 621.362.2 (088.8) Комитет по делам изобретений и...

199944

Холодильный элемент

2I3I2l Союз Соеетснил Социалистических Республик Зависимое от авт. свидетельства № Заявлено 17.111.1967 (№ 1142502/26-25) Кл, 21 а, 27j02 с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 12.111.1968. Бюллетень ¹ 10 Дата опубликования описания 2ЗХ.1968 МПгК Н 01m УДК 621.362.2(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете 1т1ииистров СССР Авторы изобретения Я. А...

213121

Патент ссср 411526

Союз Советских 4II526 Социалистических Республин ИЗОБРЕТЕНИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ Зависимое от авт. свидетельства ¹ Заявлено 10.VII1.1971 (№ 1689667/18-10) с присоединением заявки № Приоритет Опубликовано 15.1.1974. Бюллетень № 2 Дата опубликования описания 21Х.1974 М. Кл. Н Olf 21/00 Н Olv 5/00 1ааударственный комитет Совета Министров СССР оа делам изобретений и отк...

411526

Материал для изготовления активного элемента магниторезистора

О0 ИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН Ия К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ ! (61) Дополнительное к авт. свнд-ву(22) Заявлено15.10.74 (21) 2067011/26-21 с присоединением заявки № «« (23) ПриоритетвЂ” (43) Опубликовано25.03.76.Бюллетень № 11 (45) Дата опубликования описания -9.04.76 Союз Советских Социалистических республик „„„, soveoe (51) М. Кл2 Н 01 (43/00 Гасударственный комитет Свввтв Министров...

507906

Фотогальваномагнитный датчик

1. ФОТОГАЛЬВАНОМАГНИТНЫЙ ' ДАТЧИК, представляющий собой пластину полупроводника с контактами, помещенную в магнитное поле, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных Возможностей, он выполнен на основе варизонного полупроводника с градиентом ширины запрещенной зоны, направленным к освещаемой поверхности, а контакты расположены в плоскости, перпендикулярной направлени...

606475

Фотогальваномагнитный датчик

ФОТОГАЛЬБАНОМАГНИТНЫЙ ДАТЧИК по авт.св. № 606475, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности к магнитному полю, градиент запрещенной зоны vEo, выбран из условия:dVE^7,L2КТ,где L - диффузионная длина неосновных носителей; d - толщина пластин; К - постоянная Больцмана; Т - температура. СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ РЕСПУБЛИН „„Я0„„644211 Н 01 L 31/00, Н 01 L 4...

644211

Полупроводниковый магнитоэлектрический преобразователь

Союз Советскик Соцмалмстмчесиик Республик ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕН ИЯ К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii)953685 (6I ) Дополнительное к авт. свил-ву (5l )M. Кл. Н 01 L, 43/08 Н 03 К 21/00 (22) Заявлено 12.11.80 (2l ) 3230353/18-21 с присоединением заявки.% Вауаарстааииый комитат СССР (2;j ) Приоритет ио далам изоорвтаиий и открытий Опубликовано 23 08 82. бюллетень № Дата опубликов...

953685

Полупроводниковый магниторезистор и способ его изготовления

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при измерении величины индукции магнитного поля в условиях криогенных температур. Цель изобретения - повышение точности измерения индукции магнитного поля в диапазоне температуры 4.2-30 К. Полупроводниковый магниторезистор содержит подложку из полуизолйрующего арсенида галлия и магниторезистивный слой из моно...

1728903

Гальваномагнитный преобразователь

Сущность изобретения: кристалл, состоящий из подложки с расположенными на ней тонким магниточувствительным элементом и контактными площадками, закреплен на всех ножках рамки выводов в углублениях, выполненных на оконечных участках этих ножек. 2 ил. Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления гальваномагнитных приборов, и может быть использовано для прои...

2054757

Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент

Изобретение относится к области магнитных наноэлементов на основе многослойных металлических наноструктур с магниторезистивным эффектом и может быть использовано для преобразования высокочастотного магнитного поля в электрический сигнал. Технический результат - создание высокочастотного магниточувствительного наноэлемента на основе тонкопленочных резистивных полосок, обладающего требуемой амплиту...

2391747

Чувствительный элемент на основе магнитоимпеданса

Использование: для создания новых элементов, необходимых для хранения, обработки и передачи данных. Сущность изобретения заключается в том, что чувствительный элемент на основе эффекта магнитоимпеданса включает немагнитную подложку, слой диэлектрика и контакты и имеет СРР геометрию, где в качестве подложки используют n-Si, в качестве диэлектрика используют SiO2 и металлические электроды в виде п...

2561232

Сверхчувствительный интеллектуальный магнитоимпедансный датчик с расширенным диапазоном рабочих температур

Изобретение относится к измерительной технике и представляет собой сверхчувствительный интеллектуальный магнитометрический датчик (МИ датчик) с расширенным диапазоном рабочих температур области. Датчик включает магнитоимпедансный элемент (МИ элемент) с двумя катушками, выполненными одна над другой, аналоговый ключ, усилитель, температурный датчик, микроконтроллер, блок терморезистора. МИ элемент...

2563600

Магниторезистивный преобразователь

Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой магниторезистивный преобразователь и может быть использовано в конструкции датчиков магнитного поля. Преобразователь содержит кремниевый кристалл с выполненными в нем по меньшей мере двумя заглублениями, в которых размещены планарные металлические концентраторы. Планарные металлические концентраторы выполнены длиной L и толщиной b...

2568148

Патенты в этой категории