Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (RU)
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ модификации фотонного кристалла на основе sio 2 включениями с ферромагнитным порядком
Способ относится к области модификации пористых носителей, и в частности фотонных кристаллов на основе SiO2, фазами включения из ферромагнитных металлов или их оксидов. Модифицированные таким образом носители могут быть использованы в функциональной электронике, для создания различного типа магнитооптических систем записи информации, в качестве чувствительных элементов датчиков слабых магнитных по...
2296100