Гальцев Вячеслав Петрович (RU)

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой микроэлектроники. Технический результат - улучшение электрических параметров с повышением устойчивости к импульсным перегрузкам по токам. Сущность изобретения: в полупроводниковой структуре, содержащей подложку, полупроводниковый материал с обедненной областью в центральной части структуры, охваченной обедненной областью в периферийной част...