Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИМ им. Л.Я. Карпова) (RU)

Изобретение относится к области технологии полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе импульсно-лазерного получения тонких пленок материалов с высокой диэлектрической проницаемостью (ВДП) для подзатворного изолятора в сверхбыстрых металл-оксид-полупроводниковых (МОП)-транзисторах, состоящем в предварительной подготовке подложки из монокристаллического кремния, формировании тонкой...