Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)

Полупроводниковый координатный детектор ионизирующего излучения, включающий подложку n+-типа проводимости, эпитаксиально выращенный на ней активный слой n- или р-, или ni-типа проводимости, на поверхности которого сформированы полосковые сигнальные электроды р+-типа проводимости с омическими контактами, разделенными друг от друга канавками. Канавки вытравлены на глубину 20-50% от толщины активного...

Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью, предназначенным для использования в частотно-избирательных устройствах. Сущность изобретения состоит в том, что в варикапе, содержащем корпус, размещенную в корпусе р+-n-n+-мезоструктуру, ограниченную двумя контактными площадками к р+- и n+-слоям, и два внешних вывода, места выхода р+-n-перехода и примыкающих к этому переход...

Изобретение относится к полупроводниковым диодам с регулируемой емкостью. Предлагается три варианта сборки из двух варикапов с общим катодом. Во всех вариантах сборки боковые поверхности р+-n-n+-мезоструктур выполнены наклонными относительно их центральных осей, и их наклонные поверхностные полупроводниковые слои преобразованы в поверхностные диэлектрические слои. В первом варианте сборки две мезо...

Полупроводниковый источник света предназначен для замены штатных лампочек накаливания с цоколем, диаметром не более 10 мм в аппаратуре различного назначения. Источником света является монолитная гибридная интегральная схема, состоящая из стандартного лампового цоколя (1), цилиндрического световода (2), кристаллов излучающих диодов (3). Кристаллы напаяны на проводящие площадки керамической части те...

Изобретение относится к области твердотельной СВЧ-электроники и может быть использовано при конструировании СВЧ-модулей, предназначенных для генерации, усиления и преобразования колебаний. Полупроводниковый прибор с междолинным переносом электронов содержит последовательно соединенные слои металла и полупроводника слой n1 из которых образует активную пролетную область для электронов, слои обра...

Изобретение относится к средствам преобразования солнечной энергии в электрическую и может быть использовано для автономного электроснабжения объектов различного назначения. Солнечное фотоэлектрическое устройство содержит один или несколько солнечных модулей, размещенных на механическом держателе. Новым является то, что держатель образован двумя разнонаправленными парами полукруглых арок, свобод...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов. Изобретение обеспечивает повышение напряжений пробоя затвор-сток за счет формирования структуры со слаболегированными стоком и истоком, уменьшение привносимой в приповерхностный слой канала дефектности, а также создание возможности для формирования электрода затвора большой высоты за счет пол...

В полупроводниковом источнике излучения, содержащем корпус, оптически прозрачную крышку, расположенную параллельно днищу корпуса, прямоугольную диэлектрическую пластину, на которой с верхней стороны размещена прямоугольная матрица полупроводниковых излучающих диодов, а сама пластина размещена на днище корпуса, и жидкость, заполняющая внутреннюю свободную полость корпуса, в каждом ряду матрицы раз...

Изобретение относится к СВЧ интегральным схемам с pin-диодами и предназначено для использования в качестве защитных схем в устройствах, содержащих малошумящие усилители. В интегральной схеме ограничителя, содержащей несколько групп pin-диодов, соединенных через отрезки микрополосковых линий, изменена схема включения pin-диодов. Согласно изобретению, группы входных и выходных диодов через фильтры...

Изобретение относится к микроэлектронике. Диод Ганна включает активный слой с изменяющимся, вдоль электрического поля, уровнем легирования, при этом согласно изобретению толщина активного слоя диода Ганна изменяется в диапазоне (1.0-1.8) мк, уровень легирования носителей тока в активном слое равномерно изменяется от (1.1-1.4)* 1016 см-3, на первой границе активного слоя, до (1.8-2.4)*1016 см-3, н...

Изобретение относится к гелиоэнергетике, в частности к конструкциям солнечных энергетических установок с фотоэлектрическим датчиком слежения за солнцем и системой азимутального поворота солнечного модуля, а также к системам автоматического слежения за источником света и предназначено для автоматической ориентации плоскости солнечного модуля за источником света (Солнцем). Система слежения включает...

Изобретение относится к пленочным конденсаторам постоянной емкости. Техническим результатом изобретения является уменьшение разброса параметров отдельных конденсаторов при их изготовлении. Согласно изобретению тонкопленочный разделительный конденсатор для поверхностного монтажа в полосковые линии передачи содержит последовательно соединенные подложку, изготовленную из полуизолирующего полупроводн...

Изобретение относится к СВЧ схемам и предназначено для использования преимущественно в приемопередающих устройствах с мощностью передатчика более нескольких ватт для коммутации высокого уровня мощности с передатчика в антенну и низкого уровня с антенны на приемник. Техническим результатом является исключение необходимости включения защитного устройства на входе приемного усилителя после переключа...

Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов или сверхвысокочастных интегральных схем на полевых транзисторах. Техническим результатом изобретения является упрощение получения подзатворных щелей в диэлектрике с размерами, меньшими 100 нм. Сущность изобретения: в способе изготовления полевого транзистора, включающем создание контактов стока и истока,...

Изобретение может найти применение в различных устройствах и системах, в которых требуются мощные источники оптического излучения. В полупроводниковом источнике излучения согласно изобретению, содержащем цилиндрический корпус, соосно расположенный внутри корпуса рефлектор, расположенную внутри рефлектора диэлектрическую пластину, на которой размещена матрица излучающих диодов, оптически прозрачну...