Закрытое акционерное общество "Светлана - Оптоэлектроника" (RU)

Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlхInyGa1-(x+y)N (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом содержит последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости. В одной из этих областей сформирована активная область, имеющая по меньшей мере одну квантовую яму, а другая облас...