Сельков Евгений Степанович (RU)

Изобретение относится к интегральной микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления МДП ИС включает создание на поверхности кремниевой полупроводниковой пластины (ПП) областей кармана, образование подзатворного диэлектрика, формирование электродов полевых затворов, формирование маски и легирование стоков, истоков и охранных областей одного типа проводимости с низкой концентрацией прим...

Изобретение предназначено для использования в интегральной микроэлектронике при разработке и производстве одноканальных и взаимодополняющих МДП ИС цифрового и аналогового применения. Сущность изобретения: в полевом МДП-транзисторе области стока и истока каждая содержат два последовательно включенных участка, главный и дополнительный, при этом главные участки областей стока и истока имеют высокую к...