Федеральное государственное унитарное предприятие Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)

Устройство для контроля удельного объемного электрического сопротивления вязких композиционных электропроводящих материалов содержит диэлектрический корпус с цилиндрической полостью и систему кольцевых электродов, расположенных внутри полости корпуса, контактирующих с контролируемым материалом. Кольцевые электроды установлены между диэлектрическими кольцевыми элементами таким образом, что их внутр...

Гальванопластический способ изготовления сложнорельефных деталей со сквозными каналами относится к гальванопластике и может быть использован для изготовления элементов различных устройств повышенной сложности. Технический результат - получение сквозных каналов на титановом корпусе. Способ включает формирование каналов в титановом корпусе путем химической обработки в смеси азотной и плавиковой кисл...

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при построении различных радиолокационных (радарных) или аналогичных систем, предназначенных для навигации летательных аппаратов. Технический результат - повышение быстродействия и точности навигации летательных аппаратов. Для достижения данного результата используют эталонные карты местности, составленные до начала движения...

Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано в датчиках перемещений, устройствах измерения электрического тока и магнитных полей. Магниторезистивный датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными проводящими перемычками тонкопленочные магниторезистивные полоски с полюсами Барбера. Два плеча...

Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства (ОЗУ) по уровню бессбойной работы (УБР). Технический результат: возможность имитировать импульсное ионизирующее излучение (ИИИ), проводить разбраковку микросхем ОЗУ по параметру «уровень бессбойной работы» в процессе изготовления и определять реальный УБР...

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к устройствам считывания информации с объектов, подвергающихся воздействию повышенных температур. Высокотемпературный коаксиальный кабельный разъем состоит из узла подключения к внешнему источнику ВЧ-энергии, содержащего корпус с установленными в нем внешним проводником в виде цанги, внутренним проводником в виде гнезда и узла присоединения кабеля...

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано в различных системах локации, предназначенных для определения местоположения движущихся объектов (ДО). Технический результат - повышение быстродействия и помехоустойчивости. Для достижения данного результата осуществляют выбор реперного объекта (РО), генерацию и преобразование текущей карты РО, распознают РО на цифровом изо...

Изобретение может быть использовано для измерения расхода газа, добываемого на газоконденсатных месторождениях и содержащего жидкую углеводородную фазу в капельном или парообразном состоянии. Устройство включает в себя цилиндрический СВЧ-резонатор (1), связанный с генератором и детектором, и ротаметр (7, 8). Резонатор заполнен диэлектриком (2) с малыми потерями на рабочей частоте. В диэлектрике в...

Изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в радиотелеметрических системах. Достигаемый технический результат - повышение надежности получения информации об объекте в режиме обнаружения и поиска. Радиопередающее устройство содержит источник постоянного тока, блок контроля параметров, первый элемент ИЛИ, формирователь модулирующих импульсов, амплитудный модулятор, усилител...

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано при построении различных приборных систем локации, предназначенных для определения местоположения движущихся объектов с использованием волн, излучаемых в виде лучей, и управления движением движущихся объектов путем коррекции их местоположения. Технический результат - повышение точности. Для достижения данного результата сна...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для бесконтактного определения положения вала электродвигателя. Технический результат - повышение радиационной стойкости упрощение схемы обработки сигнала. Сущность изобретения заключается в том, что абсолютный датчик угла поворота, включающий магнитную систему, связанную с вращающимся валом, считывающее устройство, содержаще...

Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к измерению расхода газа, в том числе природного и попутного нефтяного, добываемых на газоконденсатных и нефтяных месторождениях. Устройство для измерения расхода газа на основе ротаметра включает в себя два открытых цилиндрических резонатора, возбуждаемых на длинах волн λ<<D, где D - диаметр цилиндра, один из которых является...

Изобретение относится к области радиолокационной техники и может быть использовано при построении различных радиолокационных систем, предназначенных для определения дальности до поверхности земли, использующих принцип отражения радиоволн (радиодальномеры или дальномеры). Достигаемый технический результат изобретения - повышение устойчивости способа определения дальности до поверхности земли за сч...

Способ оперативного определения объемного содержания жидкой фазы в газожидкостном потоке заключается в изокинетическом отборе пробы из газопровода, отсечке фильтром жидкой фазы и последующем измерении ее объемной доли при фиксированном объемном расходе газожидкостной смеси. При этом используется заранее известное значение плотности жидкости (ρж). Далее последовательно производят измерение плотнос...

Изобретение относится к области измерительной техники, к измерению электрофизических параметров (ЭФП) полупроводниковых транзисторных структур и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП. Устройство для кулонометрического измерения электрофизических параметров наноструктур транзистора n-МОП в технологиях...