Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU)

Изобретение может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитного поля, электрического тока. Датчик содержит подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда линейно расположенных последовательно соединенн...

Изобретение может быть использовано для измерения постоянного и переменного магнитного поля. В способе согласно изобретению после нанесения защитного слоя на первую магниторезистивную наноструктуру производится травление защитного слоя и первой магниторезистивной наноструктуры на той части подложки, на которой напыляется вторая магниторезистивная наноструктура с перпендикулярным, относительно перв...

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении. Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении включает камеру осаждения, состоящую из внутреннего реактора в виде горизонтальной трубы с продольными отверстиями, равномерно расположенными в шахматном порядке на ее стенк...

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования механических воздействий в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить ускорение или силу ударов. Интегральный кремниевый тензоакселерометр содержит две инерционные массы, расположенные идентично относительно направления движения с ускорением и идентично расположенные одинаково направленные пары тензорезисторов...

Использование: микроэлектроника, технология изготовления МОП и биполярных транзисторов в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления КМОП транзисторов с приподнятыми электродами после вскрытия окон под сток-истоковые области и формирования разделительного диэлектрика на стенках окон, формируют на стенках окон аморфный кремний, монокристаллические электроды в сток-истоковых окнах форм...

Использование: для обнаружения взрывчатого вещества в контролируемом предмете. Сущность: заключается в том, что облучают контролируемый предмет электромагнитным излучением, вызывающим ядерный квадрупольный резонанс атомов, по меньшей мере, одного химического элемента, входящего в состав взрывчатого вещества, регистрируют испускаемое контролируемым предметом электромагнитное излучение, преобразуют...