Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к таким областям как биохимия, биофизика, медицинская диагностика и может быть использовано в качестве модели клеточной мембраны при исследовании механизма действия лекарственных мембранопротекторных препаратов, а также для создания активных элементов биосенсорных устройств. Сущность способа нанесения белковых пленок на твердую подложку основана на использовании в качестве им...

Изобретение относится к производству синтетических кристаллов, в частности к способам получения кристаллов оксида цинка, которые могут быть использованы в пьезотехнике, акустооптоэлектронике и других областях науки и техники. Способ выращивания кристаллов оксида цинка в гидротермальных условиях заключается в перекристаллизации шихты из раствора едкого калия с добавлением ионов Li+ в герметичных со...

Изобретение относится к технологии выращивания оптических кристаллов, в частности монокристаллов кварца, используемого в радиоэлектронике, оптоэлектронике и оптике. Способ выращивания монокристаллов кварца в гидротермальных условиях в автоклаве путем перекристаллизации кварца из шихты на экранированные затравочные пластины, расположенные под углом к горизонтальной плоскости, при наличии температур...

Изобретение относится к области выращивания оптических кристаллов, предназначенных для применения в оптоэлектронных приборах. Устройство содержит корпус с камерой роста и камерой охлаждения, которые разделены керамической проставкой, тигель, размещенный в камере роста, индукционный нагреватель, верхний металлический нагревательный экран, установленный над тиглем, и механизм перемещения кристалла с...

Изобретение относится к нанотехнике, а более конкретно к способу направленного изменения электрофизических свойств углеродных нанотрубок. Сущность изобретения: для получения свойства высокой электропроводности во внутренний канал трубки физическим методом внедряют вещество - донор электронов, а для получения полупроводниковых свойств физическим методом внедряют вещество - акцептор электронов, прич...

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для получения малоразмерных порошков на основе оксида цинка, которые обеспечивают низкопороговую лазерную генерацию ультрафиолетового излучения при комнатной температуре. В предлагаемом способе целлюлозный носитель пропитывают ZnO-прекурсором - водным раствором соли цинка органической кислоты, а затем подвергают носитель выс...

Использование: для исследования структуры упорядоченных и текстурированных объектов с наноразмерными структурными неоднородностями. Сущность: заключается в том, что высокотемпературная приставка для электронографа для исследования образцов, как на отражение, так и в режиме просвечивания при одновременном нагреве до 300°С, выполнена с возможностью исследования образцов до 100 мм2, причем в...

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано в микроэлектронике и оптике при производстве пластин из полупроводниковых и оптических материалов, особенно из материалов с повышенной твердостью и хрупкостью, например из сапфира. Сущность изобретения: в способе изготовления пластин полупроводниковых и оптических материалов, содержащем операции калибрования монокристалла,...

Изобретение относится к лазерной технике, а именно к жидкокристаллическим лазерам на красителях. Между двумя люминесцентными слоями КЖК устанавливается управляемая электрическим полем фазовая пластинка. Обратная связь и, следовательно, интенсивность генерации определяется согласованием фазы между собственными волнами лазерной генерации. Генерация в данной конфигурации лазерного элемента имеет мест...

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения: в способе изготовления круглых пластин из карбида кремния, содержащем операции калибрования монокристалла, изготовления базового среза, резки монокристалла на пластины, шлифовки пластин, изготовления фаски по кромке пластины, отжига и полировки пластин, полирование пластин проводится в четыре стадии: грубая полировка алмазной...

Изобретение относится к полупроводниковой технике. Сущность изобретения - в способе предэпитаксиальной обработки полированных подложек из карбида кремния, включающем последовательно выполняемые следующие операции: калибрование монокристалла, изготовление базового среза, резку монокристалла на пластины, шлифовку пластин, изготовление фаски по кромке каждой пластины, полировку пластин, химическую и...

Изобретение относится к электро- и магнитооптическим устройствам. Сущность изобретения заключается в том, что применяется слой холестерического жидкого кристалла, а изменение характеристик прошедшей через него световой волны достигается за счет наведения ангармоничности в спиральном распределении директора с помощью электрического или магнитного поля, направленного перпендикулярно оси спирали. Т...

Изобретение относится к технике выращивания кристаллов из растворов солей, в частности для выращивания кристаллов группы KDP (КН2РO4), которые широко применяются для изготовления элементов нелинейной оптики. Установка содержит кристаллизационный стакан 1, крышку 2 кристаллизационного стакана, платформу 4 с затравочным кристаллом 5 и механизм герметизации затравочного кристалла. В крышке 2 выполн...

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу направленного заполнения одностенных углеродных нанотрубок тугоплавкими полупроводниковыми соединениями путем проведения химической реакции в каналах нанотрубок. Технический результат заключается в получении нанокомпозитов полупроводников группы AIIBVI внутри каналов одностенных углеродных нанотрубок (ОСНТ). Способ направленного заполнени...