ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ Омский научно-исследовательский институт приборостроения ФГУП ОНИИП (RU)

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения рельефа в диэлектрических и пьезоэлектрических подложках, содержащих в своем составе двуокись кремния, при изготовлении микромеханических приборов, кварцевых резонаторов и т.д. Сущность изобретения: в способе получения рельефа в диэлектрической подложке, включающем нанесение на подложку защитной маски в виде многослой...