Государственное учреждение Научно-исследовательский институт ядерной физики Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (RU)

Изобретение относится к технологии микроэлектроники. Способ позволяет повысить воспроизводимость и достичь более высоких значений электрофизических параметров формируемых переходов. Сущность изобретения: способ изготовления СКВИДов с субмикронными джозефсоновскими переходами в пленке высокотемпературного сверхпроводника характеризуется тем, что образуют по меньшей мере две промежуточные топологии...