МИЦУИ ИНДЖИНИРИНГ ЭНД ШИПБИЛДИНГ КО. ЛТД. (JP)

Изобретение относится к пластине SiC с наружным диаметром шесть дюймов и способу ее получения. Для экономичного изготовления полупроводникового устройства на основе SiC, существующую линию изготовления устройств на основе Si используют таким образом, чтобы обеспечить возможность манипулирования пластиной малого диаметра из SiC. Для этого поликристаллический SiC выращивают с по меньшей мере одной с...