Институт ядерной физики СО РАН (RU)

Изобретение относится к вакуумной технике, к вакуумным затворам и шиберам и предназначено для использования в высоковакуумных системах, допускающих прогрев до 400°С. Высоковакуумный цельнометаллический шибер содержит механизмы уплотнительного узла и привода, выполненные на разъемном фланце как единый механизм. Механизм уплотнительного узла выполнен в виде кассеты. Кассета состоит из корпус...

Изобретение относится к измерительной технике. В изобретении топологические рентгенопоглощающие рисунки из металла с большим атомным номером формируются на обеих поверхностях несущей мембраны рентгенолитографического шаблона в виде симметричных пространственно совмещенных структур одинаковой толщины. Технический результат - уменьшение величины неплоскостности рабочей поверхности рентгенолитографич...

Использование: для проведения трафаретной рентгеновской литографии. Сущность: заключается в том, что зафиксированный на шаблонодержателе рентгеношаблон, содержащий сформированный на его рабочей поверхности топологический рисунок и зафиксированную на подложкодержателе обрабатываемую подложку с нанесенным на ее рабочую поверхность слоем рентгенорезиста, размещают на пути следования экспонирующего из...

Использование: для проведения трафаретной сканирующей синхротронной рентгеновской литографии. Сущность: заключается в том, что рентгеношаблон, содержащий несущую мембрану со сформированным на ее рабочей поверхности металлическим рентгенопоглощающим топологическим рисунком и обрабатываемую подложку с нанесенным на ее рабочую поверхность слоем рентгенорезиста размещают на пути следования синхротронн...

Способ проведения теневой трафаретной рентгеновской литографии, при котором рентгеношаблон, содержащий несущую мембрану со сформированным на ее рабочей поверхности металлическим рентгенопоглощающим топологическим рисунком и обрабатываемую подложку с нанесенным на ее рабочую поверхность слоем рентгенорезиста размещают на пути следования синхротронного излучения, причем ближе к источнику излучения р...

Использование: для изготовления литографической маски. Сущность заключается в том, что осуществляют формирование посредством рентгеновской литографии резистивной маски на рабочей поверхности несущей мембраны или обрабатываемой подложки, являющихся заготовками литографической маски и выполненных из материалов с низким атомным весом, и процессы электроосаждения через сформированную резистивную маску...