Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА) (RU)
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет) (МИРЭА) (RU) является правообладателем следующих патентов:
Мембрана на каркасе для нанофильтров и нанореакторов и способ ее изготовления
Изобретение относится к области нанотехнологии. Сущность изобретения: способ изготовления мембраны на каркасе для нанофильтров и нанореакторов заключается в том, что на поверхность подложки или сетки наносят методом ионно-атомного напыления металла микропористую металлизированную пленку из по крайней мере одного слоя напыленного металла с копированием в напыленном слое микропористой структуры подл...
2329094Нелинейный перестраиваемый металло-сегнетоэлектрический фотонный кристалл (варианты) и способ его переключения
Изобретение относится к области нанотехнологии для оптоэлектроники. Фотонный кристалл содержит подложку, на поверхность которой нанесен нелинейно-оптический пленочный материал, на котором закреплена дифракционная решетка из меди, при этом материал обеспечивает возможность излучения светового потока на частоте второй гармоники, а дифракционная решетка является одновременно системой электродов для п...
2341817Селективный нанофильтр и способ его изготовления
Изобретение относится к области мембранной технологии и нанотехнологии. Селективный нанофильтр содержит подложку, выполненную по всей поверхности с порами в виде сквозных отверстий, направленных вдоль толщины подложки, и активный слой, при этом толщина подложки больше толщины активного слоя. Подложка выполнена с размером пор 50-100 нм, а активный слой представляет собой тонкую толщиной 100-150 н...
2351389Способ оптической регистрации быстропротекающих процессов
Изобретение относится к измерительной технике. Способ заключается в том, что ультракороткий лазерный импульс длительностью Δtл=20-100 фс направляется на исследуемый объект, в котором синхронизованно возбуждается повторяющийся исследуемый процесс (например, электрическим полем возбуждается свечение полупроводника в интегральной схеме или поляризация сегнетоэлектрика), длительность которого Δtис б...
2359253Устройство оптической антенны для оптических интегральных схем (варианты) и оптическая (фотонная) интегральная схема (варианты)
Изобретение относится к области нанотехнологии. Устройство оптической антенны для оптических интегральных схем представляет собой металлическую планарную полосковую структуру, нанесенную на подложку из диэлектрического материала, центральным элементом которой является полосок, который связан с двумерным фотонным кристаллом или активной фотонно-кристаллической структурой. Полосок имеет ширину на...
2379629Мультипольная магнитная ловушка для плазмы
Изобретение относится к области физики плазмы. Мультипольная магнитная ловушка для плазмы содержит три миксины, которые расположены в параллельных плоскостях на расстоянии друга от друга с образованием в сечении треугольника, каждая вершина которого является центром сечения соответствующей миксины, при этом одна из миксин расположена между другими миксинами, и расталкиватели. Каждая миксина и каж...
2430493Оптоэлектронный генератор сигналов свч-диапазона
Изобретение относится к сверхвысокочастотной оптоэлектронике. Оптоэлектронный генератор сигналов СВЧ диапазона содержит оптический узел и радиотехнический узел. В состав радиотехнического узла входят последовательно связанные между собой предварительный электрический усилитель, полосно-пропускающий фильтр, усилитель мощности и делитель мощности. Оптический узел включает в себя блок формирования л...
2436141Левитирующий квадруполь (варианты)
Изобретение относится к физике плазмы. Левитирующий квадруполь содержит вакуумную камеру и сообщающийся с ней цилиндрический отсек в нижней части камеры, в котором на подъемном элементе размещены соосно на расстоянии друг от друга по вертикали две кольцевой формы миксины, каждая в виде катушки из сверхпроводящего материала. Снаружи цилиндрического отсека соосно миксинам размещен соленоид, предназ...
2467423