Научно-исследовательский центр (г.Санкт-Петербург) 4 ЦНИИ Минобороны Российской Федерации (RU)
Научно-исследовательский центр (г.Санкт-Петербург) 4 ЦНИИ Минобороны Российской Федерации (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ увеличения граничной волны ик-детектора с барьером шоттки, ик-детектор и фотоприемная матрица, чувствительная к ик-излучению
Изобретение относится к области оптоэлектроники, а именно к многоэлементным приемникам излучения с использованием барьеров Шоттки, в частности к двумерным преобразователям изображений в видеосигнал, чувствительным в инфракрасном (ИК) диапазоне спектра электромагнитного излучения. Сущность изобретения: предложенный способ увеличения граничной длины волны ИК-детектора основан на создании физических...
2335823