Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук (RU)

Способ относится к полупроводниковой технологии и может быть использован при создании микро-, нанопроцессоров и нанокомпьютеров. Сущность изобретения: в способе создания пленок германия на подложке формируют пленку германийсодержащего материала (GeO) толщиной 5-100 нм. Затем электрод-иглу приводят в контакт с пленкой GeO и подают положительный относительно поверхности пленки электростатический пот...

Изобретение относится к нанотехнологии и предназначено для создания наноустройств, используемых на клеточном уровне, в медицине, биохимии, цитологии и т.п. Изобретение позволяет повысить технологичность и расширить функциональный диапазон изделий. Сущность изобретения: в полой наноигле в интегральном исполнении трубка связана с кристаллом-подложкой посредством изогнутого пленочного элемента и жест...

Использование: в полупроводниковой технологии наноприборов на основе кремния или структур Si/SiGe/Si для обеспечения проводимости нанослоев. Сущность изобретения: в способе электрической пассивации поверхности полупроводника проводят подготовку поверхности полупроводника к пассивированию, промежуточную пассивацию, обеспечивающую условия для осаждения пассивирующего монослоя, и нанесение монослоя 1...

Изобретение предназначено для оптико-физических измерений. Комплекс включает узел оптических измерений, систему нагрева исследуемых образцов, систему контроля температуры и вычислительный блок. Узел оптических измерений на базе быстродействующего эллипсометра снабжен микрообъективом для фокусировки зондирующего излучения на исследуемый образец, диафрагмой и светофильтром, предотвращающими попада...

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине. Сущность изобретения: в способе изготовления датчика скорости потока газа и жидкости на планарной поверхности полупроводниковой подложки изготавливают многослойную пленочную структуру, содержащую механически напряженные слои...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления приемников ИК-излучения. Сущность изобретения: в способе изготовления многоэлементного фотоприемного кристалла на основе МДП-структур на подложку InAs наносят слой SiO2, в котором формируют литографически сквозные окна, определяющие фоточувствительную область для фотоприемных кристаллов. Затем на подложке в окнах...

Многоконтактное гибридное соединение предназначено для группового механического и/или электрического соединения функциональных устройств микроэлектроники и микромеханики, размещенных на разных подложках. В контактном соединении выполнены расположенные на соединяемых подложках встречные упругие контактирующие элементы, имеющие связанные части - якорь и оболочку. Якорь жестко прикреплен к подложке...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников. Сущность изобретения: в способе изготовления МДП-структур на InAs для многоэлементных фотоприемников полупроводниковую подложку арсенида индия погружают в электролит, содержащий электропроводящий компонент, органический растворитель и фторсодержащую добавку - фторид аммония, осу...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний на изоляторе на поверхности подложки формируют изолирующий слой и осуществляют в него имплантацию ионов слабо растворимой и легко сегрегирующей примеси реактивных газов. Условия имплантации обеспечивают концентрацию вне...

Изобретение относится к вычислительной технике. Сущность изобретения: флэш элемент памяти электрически перепрограммируемого постоянного запоминающего устройства предназначен для хранения информации при отключенном питании. На полупроводниковой подложке между истоком и стоком выполнены туннельный слой, дополнительный туннельный слой, запоминающий слой, блокирующий слой и затвор. При этом дополнит...

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для усовершенствования работы инструментов, измеряющих высоту рельефа поверхности, и для сертификации высотных стандартов. Сущность изобретения: в способе изготовления ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии полупроводниковую пластину кремния с вицинальной поверхностью помещ...

Фоточувствительная структура может быть использована при разработке фотоприемников ИК излучения. Фоточувствительная структура содержит подложку с выполненной на ней варизонной структурой с рабочей областью, в которой расположен рабочий поглощающий слой. В составе рабочей области кроме рабочего поглощающего слоя выполнен предотвращающий введение собственных дефектов слой с возможностью его примык...

Способ изготовления фоточувствительной структуры заключается в том, что подложку с рабочей областью заданного типа проводимости подвергают анодированию в электролите с формированием слоя анодированного материала рабочей области на ее поверхности, далее приступают к созданию в составе рабочей области областей другого типа проводимости относительно заданного, формируя фотодиоды. Согласно изобретен...

Электростатический микро-, нанодвигатель предназначен для построения систем передвижения и транспортировки, в микро- и наноразмерной шкале масштабов, например, в робототехнике, и в частности, в нано- и микроробототехнических системах медицинского назначения. Двигатель содержит источник питания, по крайней мере, две пластины, расположенные друг относительно друга с зазором и с возможностью измене...

Газовый лазер с электронным пучком содержит высоковольтный источник питания, резонатор, размещенную в резонаторе лазерную кювету, заполненную рабочим газом, который является активной средой. В составе лазерной кюветы выполнен источник электронов в виде пустотелого катода и анода, размещенного в пустотелом катоде с образованием разрядного промежутка. Между катодом и анодом выполнены диэлектрическ...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. Сущность изобретения: в способе изготовления структуры кремний-на-изоляторе в составе подложки Si формируют аморфный слой диэлектрика SiO2 и осуществляют в него имплантацию примеси реактивных газов с низкой растворимостью в SiO2, образующей молекулы, легко диффундирующие к поверхнос...

Изобретение предназначено для группового механического и/или электрического соединения функциональных устройств, размещенных на разных подложках, работающих при низких температурах. Сущность изобретения: в многоконтактном гибридном соединении, содержащем, по крайней мере, один гибкий элемент, в отдельно взятом жестко связанном с подложками контактном соединении, кроме гибкого элемента, выполнен к...