ИНСТИТУТ ХИМИИ ВЫСОКОЧИСТЫХ ВЕЩЕСТВ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИХВВ РАН) (RU)

Изобретение относится к способам обработки массивных (диаметром до 200 мм) оптических элементов из селенида цинка, используемых в качестве пассивных оптических элементов высокомощных СО2-лазеров и других приборов, работающих в ИК-диапазоне длин волн. Способ включает глубокую шлифовку микропорошками окиси алюминия и глубокую химико-механическую полировку с использованием в качестве материала полиро...

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов изотопнообогащенного кремния 28Si или 29Si, или 30Si, который является перспективным материалом для изготовления элементов спиновой наноэлектроники, квантовых компьютеров, радиационностойких детекторов ионизирующих излучений. Способ включает выращивание монокристаллов изотопнообогащенного кремния на монокристаллическую затравку длиной...