Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ СПбГТПУ) (RU)

Изобретение относится к способам синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано для получения GaN. Предложен способ получения GaN, в котором выполняют реакционную камеру в виде двух соединенных между собой емкостей. В первую емкость загружают хлор в герметичном сосуде и металлический галлий, а во вторую емкость загружают нитрид лития и аммиак в герметичном сосуде. После этого вакуу...