Макеев Марат Хасанович (RU)
Макеев Марат Хасанович (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ выращивания монокристаллов кремния из расплава
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, преимущественно, при получении кристаллов веществ с температурой плавления, превышающей температуру размягчения кварца, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского. Способ включает размещение кварцевого тигля в составной подставке, образованной цилиндрической обечайкой и диском, за...
2342473