ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМЕНИ А.Ф. ИОФФЕ РАН (RU)

Изобретение относится к способу выращивания многослойной структуры на основе InGaN. Сущность изобретения: в способе выращивания многослойной структуры на основе InGaN подложку размещают в ростовой камере аппарата плазменной молекулярно-пучковой эпитаксии, оборудованного активатором азота, для подготовки к выращиванию слоя нитрида элемента III группы. Поток активированного азота направляют на подло...

Светоизлучающее устройство включает в себя первый и второй объемные резонаторы. Первый объемный резонатор имеет активный слой, в котором свет генерируется при электрическом возбуждении. Свет с соответствующей длиной волны, генерируемый из активного слоя, усиливается второй структурой распределенного брэгговского отражателя и металлическим отражающим слоем, усиленный свет проходит во второй объемны...