Хартов Станислав Викторович (RU)

Изобретение относится к микро- и наноэлектромеханическим устройствам и к способу их изготовления. В одном из вариантов реализации изобретения в основе получения наноэлектромеханической структуры лежат механизмы самоорганизации и самосовмещения, в результате чего ее существенные геометрические параметры не испытывают ограничения со стороны возможностей традиционной фотолитографии. Данное обстоятель...

Изобретение относится к функциональным элементам и материалам электроники и может быть применено как на уровне отдельных молекулярных проводников, играющих роль активных или пассивных элементов электроники, так и на макроскопическом уровне, например, в виде проводящего композитного материала. Сущность изобретения: в проводящей молекулярной структуре, включающей диэлектрическую матрицу и проводящ...

Изобретение относится к области получения молекулярных сит. Предложено молекулярное сито активного типа, включающее множество пор, протяженность которых по меньшей мере в одном измерении составляет менее 100 нм, в состав каждой указанной поры входит по меньшей мере один электрод, электрически соединенный со средствами контроля напряжения смещения, в состав указанного электрода входит как минимум...

Изобретение относится к микро- и наноструктурированным покрытиям, применяемым, в частности, в области оптически прозрачных проводящих покрытий. Технический результат - эффективное формирование проводящей структуры сетчатой формы, обеспечивающей функцию прозрачных проводящих покрытий, на поверхности обрабатываемой подложки на этапе формирования отсоединяемого проводящего слоя, а также посредством...