Государственное научное учреждение "Институт химических проблем микроэлектроники" (ГНУ ИХПМ) (RU)

Изобретение относится к области получения монокристаллов полупроводниковых материалов. Устройство включает камеру 1 выращивания монокристалла с расположенным в ней тиглем 4 для получения расплава, средство вытягивания из расплава монокристалла кремния и экранирующее приспособление, расположенное соосно выращиваемому монокристаллу, выполненное в виде двойного экрана - внутреннего 12 и внешнего 13...

Изобретение относится к изготовлению слитков и литых изделий из интерметаллических сплавов на основе титана и алюминия. Способ включает плавление исходной шихты в тигле и последующую кристаллизацию расплава в форме, выполненных из нитрида алюминия или футерованных изнутри нитридом алюминия, причем кристаллизацию расплава осуществляют в атмосфере инертного газа, например аргона с точкой росы не в...