Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)

Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных микросхем (ИМС). Сущность изобретения: в способе самосовмещенного формирования изоляции элементов ИМС и поликремниевых контактов к подложке и n+ - скрытому слою на полупроводниковой подложке со сплошным скрытым и эпитаксиальным слоями формируют первый и второй диэлектрические слои, в которых фотолитографией вскрывают окно на м...