БЕНЕК ОЙ (FI)

Данное изобретение относится к способу селективного легирования материала и может быть использовано для изготовления оптического волокна или оптических волноводов. Способ селективного легирования материала включает а) облучение заданного образца/области материала, где это облучение создает генерирующее напряжение в облучаемой области, b) обработку материала с образованием реакционноспособных гру...

Изобретение относится к способу легирования материала, включающему образование на поверхности материала, подлежащего легированию, реакционноспособных групп, нанесение по меньшей мере одного слоя легирующей добавки или части слоя легирующей добавки на поверхность материала, подлежащего легированию, и/или на поверхность его части или частей методом послойного атомного осаждения (методом ALD), и до...

Изобретение относится к источнику твердого или жидкого материала для реакторов для осаждения из газовой фазы, устройству для установки источника в реакторе для осаждения из газовой фазы и способу установки источника в реакторе. Источник выполнен с возможностью установки, по меньшей мере, частично в фитинге, соединенном с реакционной емкостью реактора для осаждения из газовой фазы. Источник состои...

Изобретение относится к реактору для послойного атомного осаждения. Реактор содержит вакуумную камеру (1), имеющую первую торцевую стенку (2) с монтажным люком, вторую торцевую стенку (3) с задним фланцем, боковые стенки/корпус (4), соединяющие первую и вторую торцевые стенки (2, 3), и по меньшей мере один фитинг (5) материала источника для подачи материалов источника в вакуумную камеру (1) реакт...

Изобретение относится к термоисточнику, используемому в устройствах для осаждения из паровой фазы для подачи исходного вещества в реактор. Термоисточник (1) содержит контейнер (2) для исходного вещества, имеющий полость (4). Контейнер (2) для исходного вещества выполнен съемным с возможностью присоединения к крышке (6), имеющей первое нагревательное устройство (8) для нагревания крышки (6) таким...