Общество с ограниченной ответственностью "Галлий-Н" (RU)

Изобретение относится к конструкции устройств, специально предназначеных для выращивания кристаллов из газовой фазы путем химических реакций реакционноспособных газов. Устройство для выращивания кристаллов из газовой фазы, преимущественно нитридов металлов III группы, включает вакуумированный реактор 1, расположенные внутри реактора средство 2 для закрепления подложки 3 и по крайней мере один ис...

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. Способ выращивания кристаллов нитридов металлов III группы из газовой фазы включает размещение подложки 12 в верхней части реактора над источником металла III группы 5 и подачу к поверхности подложки 12 в направлении...

Полупроводниковый светоизлучающий элемент содержит подложку, а также выполненные из AlxGa1-xN n-контактный слой, активный слой, барьерный слой и р-контактный слой. Подложка выполнена из AlN, а р-контактный слой - из GaN. Между подложкой и n-контактным слоем расположена переходная структура, состоящая из одинаковых пар слоев, выполненных из беспримесного соединения AlxGa1-xN. Количество пар слоев...

Изобретение относится к способам, специально предназначенным для изготовления приборов для светового излучения методом хлоридно-гидридной эпитаксии. Согласно изобретению потоки химически активных газов, каждый из которых содержит один из металлов третьей группы, подают в рабочую зону параллельно оси реактора. Слои с различным количественным соотношением металлов третьей группы получают путем изме...