ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ (ДГТУ) (RU)

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности может быть использовано для глубокой диффузии фосфора при формировании диффузионных кремниевых структур. Способ диффузии фосфора из твердого планарного источника включает формирование диффузионных кремниевых структур с использованием твердого планарного источника фосфора (ТПДФ). Процесс проводят при температуре 1000°С на...

Изобретение относится к медицинской технике и предназначено для контроля и управления температурой трансфузионных средств в процессе их введения в организм человека. Устройство содержит теплообменник для трансфузионных средств, выполненный в виде металлического цилиндра, одно из оснований которого является полусферой, а второе - плоским, по внешней поверхности которого, включая полусферу, проточ...

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Сущность изобретения: в способе посадки кремниевого кристалла на основание корпуса полупроводникового прибора, включающем последовательное напыление на посадочную поверхность кристалла слоев металлов и пайку кристалла к основанию корпуса, напыляют на посадочную поверх...