Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU)
Научно-исследовательский институт ядерной физики имени Д.В. Скобельцына Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ измерения концентраций радикалов в потоке газа
Изобретение относится к измерениям радикалов при исследовании фотохимических и плазмохимических процессов в лазерных системах, а также при использовании плазмохимических реакторов в технологии изготовления полупроводниковых приборов в микро- и наноэлектронике. Способ заключается в том, что на поток газа на выходе разрядного промежутка, генерирующего распадающуюся плазму с химически активными час...
2363941Генератор синглетного кислорода на основе высокочастотного разряда в потоке газа
Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано, например, в физике низкотемпературной плазмы и биологии. Генератор синглетного кислорода на основе высокочастотного разряда в потоке газа для йодного лазера содержит разрядную трубку, источник высокочастотной энергии, подключенный к изолированным друг от друга аноду и катоду, расположенным вокруг разрядной трубки и образ...
2369950Детектор терагерцового излучения на джозефсоновской гетероструктуре
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в приемных системах для целей радиоастрономии, интроскопии и спектроскопии. Техническим результатом изобретения является повышение отклика детектора на микроволновое излучение, снижение шумового фактора, возможность реализации четырехзондововой схемы измерений, а также интеграции с СКВИД устройствами считывания информации. Су...
2437189Сверхпроводящий прибор с джозефсоновским переходом
Изобретение относится к криоэлектронным приборам и может быть использовано в измерительной технике, радиотехнических и информационных системах, работающих при низких температурах. Сущность изобретения: сверхпроводящий прибор с джозефсоновским переходом включает образованную на подложке область слабой связи в виде тонкопленочной слоистой структуры, содержащей слои ферромагнитного материала и норма...
2439749