Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования - Новосибирский государственный технический университет (RU)

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых лазерных диодов и линеек. Предложен способ получения изолирующих слоев в полупроводниковых лазерных диодах и линейках, при помощи протонной бомбардировки N- и P-контактов. При этом протонной бомбардировке подвергают зеркальные и боковые грани, параллельные p-n переходу, с четырех сторон. Предлагаемое изобретение понижает пороговый...

Квантовый стандарт частоты содержит лазер, связанный с ячейкой, с которой соединены блоки создания магнитного поля и термостабилизации. Выход ячейки соединен с первым фотодетектором, выход которого соединен с первым синхронным детектором, с которым также соединен выход первого модулятора, второй выход которого соединен с блоком формирователя сигнала управления СВЧ-генератором, с которым соединен...