Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (RU)

Изобретение относится к области выращивания из расплава поликристаллических слоев кремния и может найти применение в производстве солнечных элементов (фотопреобразователей). Устройство для выращивания слоев 5 кремния на углеродной подложке 4, включает тигель, подложку, соединенную с механизмом ее перемещения, капиллярный питатель и нагреватель 2 питателя, при этом капиллярный питатель и тигель с...

Изобретение относится к термометрии и предназначено для определения температуры химически агрессивных расплавов тугоплавких веществ, например соединений типа А2B6. В датчике температуры расплава, состоящем из чехла, термоэлектродов и фиксирующего их в чехле наполнителя, чехол выполнен из графита, а в качестве наполнителя использован спеченный тонкодисперсный порошок оксида алюминия. Технический...

Изобретение относится к области создания композиционных сверхпроводников с улучшенной токонесущей способностью и может быть использовано, в частности, для создания обмоток сверхпроводящих магнитов. Техническим результатом изобретения является получение композита с показателем критической плотности тока, равным 58000 А/см2 в магнитном поле 6 Тесла. Согласно изобретению многослойный ленточный нан...

Изобретение относится к области создания композитов с улучшенной токонесущей способностью и может быть использовано, в частности, для создания обмоток сверхпроводящих магнитов. Техническим результатом изобретения является повышение критической плотности тока. Согласно изобретению способ изготовления многослойных ленточных наноструктурных композитов на основе сплава ниобий-титан композиционных св...

Изобретение относится к нанотехнологиям полупроводников. Предлагается композиционный материал на основе нанокристаллов сульфида цинка и углеродных нанотрубок, в котором матрицей служат нанокристаллы сульфида цинка, а армирующим наполнителем являются углеродные нанотрубки, причем углеродные нанотрубки находятся внутри нанокристаллов, проходя непосредственно через их объем. Такой композит можно пр...

Изобретение относится к способу извлечения теллура из отходов производства теллурида цинка или теллурида кадмия. Способ включает разложение отходов в расплаве гидроокиси натрия или гидроокиси калия и охлаждение расплава. Затем проводят растворение охлажденного расплава в водном растворе аммиака. После растворения осуществляют фильтрацию раствора с получением осадка чистого теллура. Техническим р...

Изобретение относится к технологии получения наноматериалов, в частности наночастиц теллурида кадмия, и может быть использовано для создания оптических приборов, детекторов ионизирующих излучений, катализаторов. Исходные монокристаллы теллурида кадмия разлагают в расплаве щелочей: гидроокиси натрия или калия, в атмосфере азота до гомогенизации расплава, который затем охлаждают до 0°С, обрабатыва...

Изобретение относится к лазерам с распределенной обратной связью (РОС), в которых в качестве брэгговской решетки используется двумерный фотонный кристалл. В качестве подложки кристалла используется опаловая матрица с размером шаров 108 нм или 238 нм и ориентацией поверхности (111), на которую наносят методом магнетронного напыления подслой диоксида кремния толщиной 150-250 нм, сверху слой оксида...

Изобретение относится к полимерам на основе поли(ферроценил)силана, использующимся в фотонных полупроводниковых матрицах. Предложен ячеистый полимер на основе поли(ферроценил)силана, включающий в себя повторяющиеся блоки трех типов структур, способ его получения, основанный на пространственном сшивании базового полимера и связующего компонента, и пленка, включающая в себя подложку и связанный с н...