Общество с ограниченной ответственностью "СиЦ-сенсор" (RU)

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано преимущественно для изготовления высокотемпературных датчиков физических величин. Сущность изобретения: в способе самоорганизующейся эндотаксии моно 3С-SiC на кремниевой подложке получают карбидокремниевую монокристаллическую пленку кубической модификации, сопряженную с монокристаллической подложкой крем...