PatentDB.ru — поиск по патентным документам

Рязанцев Борис Георгиевич (RU)

Рязанцев Борис Георгиевич (RU) является правообладателем следующих патентов:

Транзистор с ограничением тока и способ его изготовления

Транзистор с ограничением тока и способ его изготовления

Изобретение относится к силовым вертикальным транзисторам, содержащим МОП-структуру, изготавливаемую с применением двойной диффузии, имеющим электроды истока (эмиттера) и затвора на одной поверхности подложки, а электрод стока (коллектора) - на противоположной поверхности подложки. Сущность изобретения: в транзисторе с ограничением тока, содержащем подложку, имеющую первую и вторую противолежащи...

2370855

Периферия полупроводникового прибора, нейтрализующая влияние зарядов на стабильность обратных утечек и пробивного напряжения

Периферия полупроводникового прибора, нейтрализующая влияние зарядов на стабильность обратных утечек и пробивного напряжения

Изобретение относится к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к высоковольтным полупроводниковым приборам. Сущность изобретения: в периферии полупроводникового прибора, содержащей периферийный P-N-переход кольцевого типа, покрытый диэлектрической пленкой и окруженный над диэлектрической пленкой спиральной токопроводящей пленкой с диодами Зенера, концы спирали подсоединены к Р-...

2379786

Способ изготовления полупроводникового прибора

Способ изготовления полупроводникового прибора

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым БТИЗ и ДМОП-транзисторам. Изобретение обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии без увеличения размеров кристалла и повышение быстродействия без ухудшения других характеристик. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового прибора, включающем форм...

2431905

Полупроводниковый прибор

Полупроводниковый прибор

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к области силовых полупроводниковых приборов, в частности к силовым ДМОП-транзиторам. Сущность изобретения: в полупроводниковом приборе, содержащем сток, исток, состоящий из транзисторных ячеек и периферийного p-n перехода, расположенных под электродом-затвором, а также из металлического электрода истока, расположенного над электродом-затвором, п...

2437183