Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы. В полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуре на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n-переходом, содержащей последовательность эпитаксиальных слоев, образующих область,...

Светодиодная гетероструктура, согласно изобретению выполненная на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlxInyGa1-(x+y)N (0≤x≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом, содержит n-контактный слой, выполненный из нитридного материала GaN, активную область с квантовыми ямами, образованными слоями, выполненными из нитридного материала InyGa1-yN, барьерный слой, выполненный из нитридного материа...

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а более конкретно к полупроводниковым светодиодам на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIIIN). Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный на основе нитридов металлов третьей группы, включает подложку, а также сформированные в процессе эпитаксиального роста последовательн...