Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU)
Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" (RU) является правообладателем следующих патентов:
Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика
Изобретение относится к нелинейной оптике и оптоэлектронике и может быть использовано в оптических системах записи и считывания информации, в волоконно-оптической связи и в лазерных проекционных системах. Способ включает воздействие высокого напряжения, которое прикладывают между металлическими электродами, расположенными на противоположных полярных гранях пластины. Один из электродов выполнен в...
2371746Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика
Изобретение относится к нелинейной оптике и оптоэлектронике и может быть использовано в оптических системах записи и считывания информации, в волоконно-оптической связи и в лазерных проекционных системах. Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика включает воздействие высокого напряжения, которое прикладывают между металлическими э...
2411561Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика
Изобретение относится к нелинейной оптике. Способ может быть использован для формирования доменной структуры в соответствии с заданным рисунком, например периодической полосовой доменной структуры, в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика, например, ниобата лития или танталата лития, а также легированного MgO ниобата лития или танталата лития. Способ включает воздейст...
2439636Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнетоэлектриков с доменной структурой и может быть использовано при создании устройств позиционирования, акустоэлектроники, для модификации диэлектрических, пироэлектрических и оптических свойств. Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой заключается в том, что в качестве заготовки...
2485222