Учреждение Российской Академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов (RU)

Изобретение относится к полупроводниковой микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве интегральных схем, при формировании электродов в транзисторах и обкладок конденсаторов, при формировании контактов и проводящих областей на поверхности кремния, в качестве проводящих, термостабильных и барьерных слоев в системах металлизации. Сущность изобретения: способ изготовления тонко...