Государственное Учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU)
Государственное Учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ) (RU) является правообладателем следующих патентов:
![Способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур Способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур](https://img.patentdb.ru/i/200x200/f3b11e52f748471161d8541ebe8b1984.jpg)
Способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур
Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур включает формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости сплошного скрытого слоя второго типа проводимости, формирование на полупроводниковой подложке эпитаксиального слоя второго типа проводимости, формирование первого диэлектрика, легирование эпитаксиал...
2377691